フレキシブルブロックリダンダンシと高速高精度ワード線電圧コントローラを搭載した44mm^24バンク8ワードページ64Mbフラッシュメモリ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
負ゲートチャネル消去NOR型セル技術、0.16μmフラッシュメモリ技術、4バンク階層ワード線ビット線方式によってNOR型フラッシュメモリでは最大密度の44mm^264Mb品を開発した。チャネル消去セルに対応したフレキシブルブロックリダンダンシ技術、0.5秒の高速消去時間を実現する高速高精度ワード線電圧コントローラ、30nsの高速実効読み出し時間を実現するページ読み出し機能を搭載した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-04-04
著者
-
常盤 直哉
株式会社東芝セミコンダクター社
-
渡部 浩
(株)東芝セミコンダクタ社
-
増田 和紀
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
梅沢 明
(株)東芝 デバイス技術研究所
-
渥美 滋
(株)東芝 デバイス技術研究所
-
志賀 仁
株式会社 東芝 セミコンダクター社
-
常盤 直哉
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
-
丹沢 徹
(株)東芝セミコンダクタ社
-
田浦 忠行
(株)東芝セミコンダクタ社
-
志賀 仁
(株)東芝セミコンダクタ社
-
高野 芳徳
(株)東芝セミコンダクタ社
-
成毛 清美
(株)東芝セミコンダクタ社
-
丹沢 徹
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
渥美 滋
(株)東芝セミコンダクタ社
-
梅沢 明
(株)東芝セミコンダクタ社
-
増田 和紀
(株)東芝セミコンダクタ社
関連論文
- NANDフラッシュメモリ技術動向および113mm^2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ(メモリ技術)
- フラッシュメモリセルアレイ用の新しい評価回路
- フラッシュEEPROMセルの新しいしきい値電圧分布測定方法
- 3.3V単一電源動作16Mb NOR FLASH MEMORY
- 99mm^2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
- 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計
- データリフレッシュ機能を内蔵した16MビットフラッシュEEPROM : セクタ消去を実現するために
- ビット線直接読み出し方式を用いたチャネル消去型1.8V単一電源32MビットNORフラッシュメモリ
- 最近のFlash EEPROMの消去法の比較 : 安定性といかに制御するか
- フレキシブルブロックリダンダンシと高速高精度ワード線電圧コントローラを搭載した44mm^24バンク8ワードページ64Mbフラッシュメモリ
- Shallow Trench Isolation (STI)を用いた高密度・多値NANDフラッシュメモリ
- 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
- 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
- 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
- 高速書込みを実現する新多値メモリセル方式
- 高速書込みを実現する新多値メモリセル方式
- フラッシュメモリの安定な書込みパルス発生回路の設計
- NOR型フラッシュメモリの消去分布縮小を実現するサンプリングウィークプログラム方式
- 24nmプロセスで製造された151mm^2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)