70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)

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概要

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• 70nm CMOSテクノロジを用いた8ギガビット4値NANDフラッシュメモリを開発した. 片側PAD構成と拡張ブロックアドレス方式により, 145.5mm^2のチップサイズを実現した. ライトキャッシュと書き込み時におけるワード線初期電圧制御によって書き込み速度は6MB/sを達成した.

• 2005-04-07

著者

• 常盤 直哉

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 亀井 輝彦

  サンディスク株式会社

• 那須 弘明

  サンディスク株式会社

• 竹内 義昭

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 櫻井 清史

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 原 毅彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 柴田 昇

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 金澤 一久

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 金澤 一久

  (株)東芝 半導体システム技術センター大船分室

• 小島 正嗣

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 細野 浩司

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 櫻井 清史

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 常盤 直哉

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 和気 裕子

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 細野 浩司

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 福田 浩一

  株式会社東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター

• 阿部 巧

  株式会社東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター

• 前嶋 洋

  株式会社東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 中川 道雄

  株式会社東芝 セミコンダクター社 メモリ事業部

• 小島 正嗣

  株式会社東芝 セミコンダクター社 メモリ事業部

• 藤生 政樹

  株式会社東芝 セミコンダクター社 メモリ事業部

• 雨宮 和美

  株式会社東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 師岡 翠

  株式会社東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• Wang Chi-Ming

  サンディスク コーポレーション

• 桜井 清史

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 金澤 一久

  サンディスク株式会社

• 小島 正嗣

  株式会社東芝

• 中川 道雄

  株式会社東芝

• 柴田 昇

  株式会社東芝

• 金澤 一久

  株式会社東芝

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