原 毅彦 | 株式会社東芝セミコンダクター社
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概要
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サンディスク コーポレーション
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武者 淳二
株式会社東芝
著作論文
- NANDフラッシュメモリ技術動向および113mm^2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ(メモリ技術)
- 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
- 高生産性、高性能マルチバンクRDRAMのための新規アーキテクチャ
- 24nmプロセスで製造された151mm^2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)