24nmプロセスで製造された151mm^2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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14MB/s書き込み、および266MB/sデータ転送が可能な、24nmプロセスを用いた64Gb 2bit/cell NAND型フラッシュメモリを開発しました。低抵抗ワード線材料の採用による2プレーン構成、新ビット線フックアップ構成、周辺回路フロアプランの最適化により、小さなチップサイズ151mm^2を実現しました。二つの新しい書き込みアルゴリズムを導入することで、書き込みスループットを5%改善し、書き込み時の消費電流を6%削減しました。
- 2011-04-11
著者
-
常盤 直哉
株式会社東芝セミコンダクター社
-
進藤 佳彦
株式会社東芝セミコンダクター社
-
枝広 俊昭
株式会社東芝セミコンダクター社
-
岩井 信
株式会社東芝セミコンダクター社
-
金川 直晃
株式会社東芝セミコンダクター社
-
堺 学
サンディスク株式会社
-
丁 虹
サンディスク株式会社
-
櫻井 清史
株式会社東芝セミコンダクター社
-
柳平 康輔
株式会社東芝セミコンダクター社
-
原 毅彦
株式会社東芝セミコンダクター社
-
中道 勝
日本原子力研究開発機構
-
佐藤 順平
株式会社東芝セミコンダクター社
-
志賀 仁
株式会社 東芝 セミコンダクター社
-
渡辺 慶久
株式会社 東芝 セミコンダクター社
-
東谷 政昭
サンディスク コーポレーション
-
Hemink Gertjan
サンディスク株式会社
-
福田 浩一
株式会社東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター
-
成毛 清美
(株)東芝セミコンダクタ社
-
桜井 清史
株式会社東芝セミコンダクター社
-
進藤 佳彦
株式会社東芝
-
鈴木 裕也
株式会社東芝セミコンダクター社
-
渡辺 慶久
株式会社東芝セミコンダクター社
-
牧野 英一
株式会社東芝セミコンダクター社
-
川上 浩一
株式会社東芝セミコンダクター社
-
高際 輝男
株式会社東芝セミコンダクター社
-
志賀 仁
株式会社東芝セミコンダクター社
-
小川 武志
株式会社東芝セミコンダクター社
-
永尾 理
株式会社東芝セミコンダクター社
-
武者 淳二
株式会社東芝セミコンダクター社
-
源 貴利
株式会社東芝セミコンダクター社
-
中村 大
株式会社東芝セミコンダクター社
-
細村 嘉一
株式会社東芝セミコンダクター社
-
駒井 宏充
株式会社東芝セミコンダクター社
-
古田 優佳
株式会社東芝セミコンダクター社
-
村本 麻衣
株式会社東芝セミコンダクター社
-
田中 里英子
株式会社東芝セミコンダクター社
-
四方 剛
株式会社東芝セミコンダクター社
-
弓仲 絢子
株式会社東芝セミコンダクター社
-
櫻井 清史
東芝メモリシステムズ株式会社
-
渡辺 光泰
サンディスク株式会社
-
加藤 洋介
サンディスク株式会社
-
三輪 達
サンディスク株式会社
-
Mak Alex
サンディスクコーポレーション
-
中道 勝
サンディスク株式会社
-
Lee Dana
サンディスクコーポレーション
-
Murphy Brian
サンディスクコーポレーション
-
Lei Bo
サンディスクコーポレーション
-
松永 泰彦
株式会社東芝セミコンダクター社
-
成毛 清美
サンディスク株式会社
-
東谷 政昭
サンディスクコーポレーション
-
金川 直晃
株式会社東芝
-
鈴木 裕也
株式会社東芝
-
小川 武志
株式会社東芝
-
武者 淳二
株式会社東芝
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