福田 浩一 | 株式会社東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター
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概要
関連著者
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福田 浩一
株式会社東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター
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著作論文
- 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
- 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計
- 24nmプロセスで製造された151mm^2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 24nm64GビットMLC(2ビット/セル)NANDフラッシュメモリの設計技術 (特集 半導体不揮発性メモリ)