金川 直晃 | 株式会社東芝セミコンダクター社
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概要
関連著者
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金川 直晃
株式会社東芝セミコンダクター社
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丁 虹
サンディスク株式会社
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金川 直晃
株式会社東芝
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常盤 直哉
株式会社東芝セミコンダクター社
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進藤 佳彦
株式会社東芝セミコンダクター社
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枝広 俊昭
株式会社東芝セミコンダクター社
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亀井 輝彦
サンディスク株式会社
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那須 弘明
サンディスク株式会社
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岩井 信
株式会社東芝セミコンダクター社
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安彦 尚文
株式会社東芝セミコンダクター社
著作論文
- NANDフラッシュメモリ技術動向および113mm^2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ(メモリ技術)
- 24nmプロセスで製造された151mm^2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 19nm64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)