東谷 政昭 | サンディスク コーポレーション
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概要
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東谷 政昭
サンディスク コーポレーション
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亀井 輝彦
サンディスク株式会社
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Hemink Gertjan
サンディスク株式会社
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サンディスクコーポレーション
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サンディスク コーポレーション
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サンディスク コーポレーション
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サンディスク株式会社
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櫻井 清史
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サンディスク株式会社
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Moogat Farookh
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Mokhlesi Nima
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金澤 一久
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株式会社 東芝 セミコンダクター社
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大和 田健
サンディスク株式会社
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小島 正嗣
株式会社東芝 セミコンダクター社 メモリ事業部
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桜井 清史
株式会社東芝セミコンダクター社
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小柳 勝
(株)東芝 : メモリ事業部
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渡辺 慶久
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小川 武志
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株式会社東芝セミコンダクター社
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三輪 達
サンディスク株式会社
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Mak Alex
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神田 和重
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野口 充宏
(株)東芝セミコンダクター社
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Liang Guirong
サンディスク株式会社
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久田 俊記
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小柳 勝
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吉原 正浩
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野口 充宏
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財津 真吾
サンディスク株式会社
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竹内 健
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藤村 進
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Fu Jia-Yi
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株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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中川 道雄
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金澤 一久
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成毛 清美
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鈴木 良尚
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何 東
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本多 泰彦
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Chan Siu
サンディスクコーポレーション
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平 隆志
株式会社東芝セミコンダクター社
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大竹 博之
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藤村 進
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伊東 幹彦
株式会社東芝セミコンダクター社
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白川 政信
株式会社東芝セミコンダクター社
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奥川 雄紀
株式会社東芝セミコンダクター社
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米谷 和英
株式会社東芝セミコンダクター社
著作論文
- 43nmCMOS技術を用いた120mm^2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 99mm^2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- 24nmプロセスで製造された151mm^2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 19nm64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 18MB/sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 19nm64Gbit 多値(2bit/cell)NAND フラッシュメモリの開発
- 18MB/Sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発