Tsai Frank | サンディスクコーポレーション
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概要
関連著者
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本間 充祥
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井納 和美
株式会社 東芝
著作論文
- 43nmCMOS技術を用いた120mm^2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 18MB/Sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発