43nmCMOS技術を用いた120mm^2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
43nm CMOSテクノロジを用いた16ギガビット4値NANDフラッシュメモリを開発した.66NANDと新規コントロールゲートドライバー回路を用いた構成とし、アレー上にパワーバス配線を配することでチップサイズ120mm^2を実現し、micro SDカードへ実装可能とした.デュアルステージドライバーを用いることで1.8V VCCQで25nsのサイクルタイムを実現した.
- 2008-04-10
著者
-
亀井 輝彦
サンディスク株式会社
-
竹内 義昭
株式会社東芝セミコンダクター社
-
梶村 則文
株式会社東芝セミコンダクター社
-
丸山 徹
株式会社東芝セミコンダクター社
-
大島 成夫
株式会社東芝セミコンダクター社
-
Le Binh
サンディスク株式会社
-
Cernea Raul
サンディスク株式会社
-
井納 和美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
小島 正嗣
株式会社 東芝 セミコンダクター社
-
東谷 政昭
サンディスク コーポレーション
-
Hemink Gertjan
サンディスク株式会社
-
細野 浩司
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
神田 和重
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
宮本 晋示
株式会社東芝
-
小島 正嗣
株式会社東芝 セミコンダクター社 メモリ事業部
-
小柳 勝
(株)東芝 : メモリ事業部
-
鈴木 裕也
株式会社東芝セミコンダクター社
-
牧野 英一
株式会社東芝セミコンダクター社
-
中村 大
株式会社東芝セミコンダクター社
-
加藤 洋介
サンディスク株式会社
-
三輪 達
サンディスク株式会社
-
Mak Alex
サンディスクコーポレーション
-
神田 和重
(株)東芝セミコンダクター社
-
東谷 政昭
サンディスクコーポレーション
-
野口 充宏
(株)東芝セミコンダクター社
-
久田 俊記
株式会社東芝
-
小柳 勝
株式会社東芝
-
吉原 正浩
株式会社東芝
-
野口 充宏
株式会社東芝
-
吉原 正浩
株式会社東芝セミコンダクター社
-
山村 俊雄
株式会社東芝セミコンダクター社
-
Chan Siu
サンディスクコーポレーション
-
Tsai Frank
サンディスクコーポレーション
-
平 隆志
株式会社東芝セミコンダクター社
-
大竹 博之
株式会社東芝セミコンダクター社
-
藤村 進
株式会社東芝セミコンダクター社
-
伊東 幹彦
株式会社東芝セミコンダクター社
-
白川 政信
株式会社東芝セミコンダクター社
-
奥川 雄紀
株式会社東芝セミコンダクター社
-
米谷 和英
株式会社東芝セミコンダクター社
-
有薗 尚倫
株式会社東芝セミコンダクター社
-
八重樫 利武
株式会社東芝セミコンダクター社
-
伊藤 文俊
サンディスク株式会社
-
神田 和重
株式会社東芝
-
神田 和重
株式会社東芝セミコンダクター社
-
鈴木 裕也
株式会社東芝
-
Le Binh
サンディスクコーポレーション
-
小島 正嗣
株式会社東芝
-
小島 正嗣
株式会社東芝セミコンダクター社
-
宮本 晋示
株式会社東芝セミコンダクター社
-
細野 浩司
株式会社東芝セミコンダクター社
-
井納 和美
株式会社東芝セミコンダクター社
-
井納 和美
株式会社東芝
-
久田 俊記
株式会社東芝セミコンダクター社
-
野口 充宏
株式会社東芝セミコンダクター社
-
Cernea Raul
サンディスクコーポレーション
関連論文
- NANDフラッシュメモリ技術動向および113mm^2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ(メモリ技術)
- 三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路(メモリ技術)
- 43nmCMOS技術を用いた120mm^2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 7.8MB/sを実現する64Gb 4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー(メモリ技術)
- A 32Mb Chain FeRAM with Segment Stitch Array Architecture
- 1GビットDRAM用トレンチ・セル技術
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- セル面積 0.29μm^2 を実現したトレンチ型 DRAM セル技術
- 180ns/Byte高速書き込み可能な120mm^2 64Mビット NAND EEPROM
- フラッシュメモリセルアレイ用の新しい評価回路
- フラッシュEEPROMセルの新しいしきい値電圧分布測定方法
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- 99mm^2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- STIプロセス技術を用いた130mm^2 256Mbit NAND型 Flash EEPROM
- NAND EEPROM における新しいビットごとベリファイ回路の提案
- NAND EEPROM における新しいビットごとベリファイ回路の提案
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
- 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計
- NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 可変リファレンス回路とダブルワード線パルス回路を搭載した3V動作1T1C型1Mビット強誘電体メモリ
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- 三次元SSD用20Vブーストコンバータ向けのインダクタ設計(若手研究会)
- 高生産性、高性能マルチバンクRDRAMのための新規アーキテクチャ
- 24nmプロセスで製造された151mm^2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- NAND Flashメモリ高性能化の技術動向とNAND Flashプロセスでの混載DRAM技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 招待講演 18MB/sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発 (集積回路)
- 招待講演 19nm64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発 (集積回路)
- 19nm64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 18MB/sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 : 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える?(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 19nm64Gbit 多値(2bit/cell)NAND フラッシュメモリの開発
- 18MB/Sを実現する128Gb 3-bit/cell 19nm NANDフラッシュメモリの開発