180ns/Byte高速書き込み可能な120mm^2 64Mビット NAND EEPROM
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
0.4μmCMOSプロセスを用いて3.3V単一電源動作の64MビットNANDフラッシュメモリを開発した. 1ビット当たりのセル面積は1.1μm^2, チップサイズは12Omm^2を実現した. 交互配置式ロウデコーダを用いることにより, レイアウト作成が容易となり, ワード線遅延も従来方式から30%削減した. 読み出しは, メモリセルデータの新検知方式, ページ間連続アクセスモードを用いることにより40MB/sのデータ出力速度を達成した. 書き込みは, ステップアップパルス書き込み方式を用いることにより, 5MB/sの実効書き込み速度を達成した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-08-23
著者
-
金澤 一久
株式会社東芝セミコンダクター社
-
中村 寛
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
-
伊藤 寧夫
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
伊藤 寧夫
(株)東芝セミコンダクター社
-
作井 康司
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
金澤 一久
(株)東芝 半導体システム技術センター大船分室
-
Kim Jin-Ki
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
-
Lee Sung-Soo
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
-
Kwon Suk-Chon
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
-
Lee Ki-Jun
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
-
姫野 敏彦
(株)東芝 半導体システム技術センター大船分室
-
Kim Kang-Young
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
-
神田 和重
(株)東芝 半導体システム技術センター大船分室
-
Kim Jang-Rae
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
-
大島 洋一
(株)東芝 半導体システム技術センター大船分室
-
Jung Tae-Sung
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
-
橋本 一彦
(株)東芝 半導体システム技術センター大船分室
-
Suh Kang-Deog
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
-
宮本 順一
(株)東芝 半導体システム技術センター大船分室
-
Ahn Sung-Tae
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
-
宮本 順一
(株)東芝デバイス技術研究所
-
金澤 一久
株式会社 東芝 セミコンダクター社
-
神田 和重
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
作井 康司
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
Kwon Suk-chon
Memory Division Samsung Electronics Co. Ltd.
-
Kwon Suk-chon
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
-
Ahn Sung-tae
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
-
中村 寛
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
Kim Kang-young
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
-
姫野 敏彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
Kim Jin-ki
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
-
Lee Ki-jun
Memory Division Samsung Electronics Co. Ltd.
-
Lee Ki-jun
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
-
Lee Sung-soo
Memory Division Samsung Electronics Co. Ltd.
-
Lee Sung-soo
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
-
Kim Jang-rae
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
-
Suh Kang-deog
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
-
Jung Tae-sung
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
-
橋本 一彦
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
橋本 一彦
(株)東芝 セミコンダクター社 技術企画部
関連論文
- NANDフラッシュメモリ技術動向および113mm^2 32Gb 3b/cell NANDフラッシュメモリ(メモリ技術)
- 43nmCMOS技術を用いた120mm^2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 7.8MB/sを実現する64Gb 4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー(メモリ技術)
- 5. 大容量データストレージ技術 5-4 大容量フラッシュメモリ (大規模データ処理を支えるエレクトロニクス : マルチメディア世界の到来に向けて)
- 180ns/Byte高速書き込み可能な120mm^2 64Mビット NAND EEPROM
- フラッシュメモリセルアレイ用の新しい評価回路
- フラッシュEEPROMセルの新しいしきい値電圧分布測定方法
- NANDフラッシュメモリの動向
- 99mm^2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- 書き込み速度10MB/sの125mm^21GビットNAND型フラッシュメモリ
- STIプロセス技術を用いた130mm^2 256Mbit NAND型 Flash EEPROM
- NAND EEPROM における新しいビットごとベリファイ回路の提案
- NAND EEPROM における新しいビットごとベリファイ回路の提案
- 高密度・低電圧NAND EEPROM設計のためのビット線シールド技術
- 35nsサイクルタイムを達成した3.3V単一32Mb NANDフラッシュメモリ
- 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
- 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計
- 可変リファレンス回路とダブルワード線パルス回路を搭載した3V動作1T1C型1Mビット強誘電体メモリ
- フラッシュメモリの低電圧・低消費電力技術
- 最近のFlash EEPROMの消去法の比較 : 安定性といかに制御するか
- 実用化が始まったFeRAMの最新動向
- NANDフラッシュメモリの現状と将来技術
- 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
- 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
- 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
- NAND型フラッシュメモリの多値化の検討
- 256MビットNAND型EEPROM
- NAND Flashメモリ高性能化の技術動向とNAND Flashプロセスでの混載DRAM技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- システムLSIの課題と展望
- Silicon Movie時代に向けた大容量NAND型フラッシュメモリ技術
- 19nm64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)