5. 大容量データストレージ技術 5-4 大容量フラッシュメモリ (<特集>大規模データ処理を支えるエレクトロニクス : マルチメディア世界の到来に向けて)
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概要
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現在,メモリセルの主流は,セルサイズが小さく,ビットコストの安いDRAMである.しかし最近,DRAMよりもセルサイズの小さなフラッシュメモリが出現した.しかも,電源を切っても記憶データを保持できる理想的なメモリである.ここでは,大容量メモリとして期待されるNAND型EEPROMの基本的な動作原理と高集積化技術について述べる.高集積セル技術としては,浅いトレンチ分離を用いた自己整合型NANDセルと多値NANDセルについて紹介する.最後に,NAND型フラッシュメモリの応用と今後の展開を予測する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-25
著者
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伊藤 寧夫
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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伊藤 寧夫
(株)東芝セミコンダクター社
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作井 康司
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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有留 誠一
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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有留 誠一
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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作井 康司
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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有留 誠一
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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