伊藤 寧夫 | (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

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概要

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関連著者

• 伊藤 寧夫

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 伊藤 寧夫

  (株)東芝セミコンダクター社

• 作井 康司

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 作井 康司

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 姫野 敏彦

  (株)東芝 半導体システム技術センター大船分室

• 神田 和重

  (株)東芝 半導体システム技術センター大船分室

• 橋本 一彦

  (株)東芝 半導体システム技術センター大船分室

• 宮本 順一

  (株)東芝 半導体システム技術センター大船分室

• 宮本 順一

  (株)東芝デバイス技術研究所

• 神田 和重

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 姫野 敏彦

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 橋本 一彦

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 橋本 一彦

  (株)東芝 セミコンダクター社 技術企画部

• 間 博顕

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 松川 尚弘

  (株)東芝半導体事業本部半導体品質保証担当

• 押切 雅光

  (株)東芝メモリ事業部

• 増田 和紀

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 間 博顕

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 増田 和紀

  (株)東芝セミコンダクタ社

• 竹内 義昭

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 宮川 正

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 荻原 隆

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 金澤 一久

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 國島 巌

  (株)東芝セミコンダクター社

• 首藤 晋

  (株)東芝セミコンダクター社

• 日高 修

  (株)東芝セミコンダクター社

• 宮川 正

  (株)東芝セミコンダクター社

• 大槻 純人

  東芝マイクロエレクトロニクス(株)

• 竹内 義昭

  (株)東芝SoC研究開発センター

• 荻原 隆

  (株)東芝SoC研究開発センター

• 國島 巌

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 田中 真一

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 竹中 博幸

  東芝マイクロエレクトロニクス(株)

• 中村 寛

  (株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター

• 伊藤 寧夫

  Starc(半導体理工学研究センター):東芝マイクロエレクトロニクス

• 伊藤 寧夫

  (株)東芝半導体デバイス技術研究所

• 有留 誠一

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 金澤 一久

  (株)東芝 半導体システム技術センター大船分室

• Kim Jin-Ki

  Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.

• Lee Sung-Soo

  Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.

• Kwon Suk-Chon

  Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.

• Lee Ki-Jun

  Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.

• Kim Kang-Young

  Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.

• Kim Jang-Rae

  Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.

• 大島 洋一

  (株)東芝 半導体システム技術センター大船分室

• Jung Tae-Sung

  Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.

• Suh Kang-Deog

  Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.

• Ahn Sung-Tae

  Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.

• 金澤 一久

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 有留 誠一

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• Kwon Suk-chon

  Memory Division Samsung Electronics Co. Ltd.

• Kwon Suk-chon

  Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.

• Ahn Sung-tae

  Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.

• 中村 寛

  (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• Kim Kang-young

  Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.

• 田中 寿実夫

  (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 真野 須弥子

  (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 有留 誠一

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 国島 巌

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ

• 國島 巌

  (株)東芝ulsi研究所

• Kim Jin-ki

  Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.

• Lee Ki-jun

  Memory Division Samsung Electronics Co. Ltd.

• Lee Ki-jun

  Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.

• Lee Sung-soo

  Memory Division Samsung Electronics Co. Ltd.

• Lee Sung-soo

  Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.

• Kim Jang-rae

  Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.

• Suh Kang-deog

  Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.

• Jung Tae-sung

  Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.

• 田中 寿実夫

  (株)東芝マイクロエレクトロクス技術研究所

• 竹中 博幸

  東芝マイクロエレクトロニクス

• 田中 真一

  (株)東芝

• 田中 寿実夫

  (株)東芝

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著作論文

• 5. 大容量データストレージ技術 5-4 大容量フラッシュメモリ (大規模データ処理を支えるエレクトロニクス : マルチメディア世界の到来に向けて)
• 180ns/Byte高速書き込み可能な120mm^2 64Mビット NAND EEPROM
• フラッシュメモリセルアレイ用の新しい評価回路
• フラッシュEEPROMセルの新しいしきい値電圧分布測定方法
• NANDフラッシュメモリの動向
• 可変リファレンス回路とダブルワード線パルス回路を搭載した3V動作1T1C型1Mビット強誘電体メモリ
• 実用化が始まったFeRAMの最新動向

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