作井 康司 | 株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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概要
関連著者
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作井 康司
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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作井 康司
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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神田 和重
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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中村 寛
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
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神田 和重
(株)東芝 半導体システム技術センター大船分室
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宮本 順一
(株)東芝 半導体システム技術センター大船分室
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宮本 順一
(株)東芝デバイス技術研究所
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伊藤 寧夫
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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伊藤 寧夫
(株)東芝セミコンダクター社
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姫野 敏彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
姫野 敏彦
(株)東芝 半導体システム技術センター大船分室
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橋本 一彦
(株)東芝 半導体システム技術センター大船分室
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白田 理一郎
東芝・セミコンダクター社メモリ事業部
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今宮 賢一
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
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白田 理一郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
中村 寛
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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橋本 一彦
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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橋本 一彦
(株)東芝 セミコンダクター社 技術企画部
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舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
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間 博顕
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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松川 尚弘
(株)東芝半導体事業本部半導体品質保証担当
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押切 雅光
(株)東芝メモリ事業部
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増田 和紀
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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中村 寛
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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有留 誠一
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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百冨 正樹
東芝メモリ事業部メモリ技術第一部
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間 博顕
(株)東芝 セミコンダクター社
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有留 誠一
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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増田 和紀
(株)東芝セミコンダクタ社
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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姫野 敏彦
株式会社東芝セミコンダクター社
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竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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竹内 健
東京大学
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金澤 一久
株式会社東芝セミコンダクター社
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センター
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大内 和則
株式会社東芝研究開発センター
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センターulsi研究所
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有留 誠一
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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金澤 一久
(株)東芝 半導体システム技術センター大船分室
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Kim Jin-Ki
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
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Lee Sung-Soo
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
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Kwon Suk-Chon
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
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Lee Ki-Jun
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
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Kim Kang-Young
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
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Kim Jang-Rae
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
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大島 洋一
(株)東芝 半導体システム技術センター大船分室
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Jung Tae-Sung
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
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Suh Kang-Deog
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
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Ahn Sung-Tae
Memory Division, Samsung Electoronics Co., LTD.
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細野 浩司
株式会社 東芝 セミコンダクター社
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畠山 多生
株式会社 東芝 セミコンダクター社
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金澤 一久
株式会社 東芝 セミコンダクター社
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清水 和裕
東芝・セミコンダクター社メモリ事業部
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細野 浩司
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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今宮 賢一
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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杉浦 義久
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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竹内 健
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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池橋 民雄
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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清水 和裕
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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畠山 多生
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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田中 智晴
株式会社東芝研究開発センター、ULSI研究所
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百冨 正樹
株式会社東芝半導体デバイス技術研究所
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池橋 民雄
株式会社東芝セミコンダクター社メモリ事業部
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Kwon Suk-chon
Memory Division Samsung Electronics Co. Ltd.
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Kwon Suk-chon
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
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Ahn Sung-tae
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
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Kim Kang-young
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
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田中 智晴
(株)東芝 メモリ事業部
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作井 康司
株式会社東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
-
白田 理一郎
東芝研究開発センター、ULSI研究所
-
作井 康司
東芝半導体デバイス技術研究所
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Kim Jin-ki
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
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Lee Ki-jun
Memory Division Samsung Electronics Co. Ltd.
-
Lee Ki-jun
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
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Lee Sung-soo
Memory Division Samsung Electronics Co. Ltd.
-
Lee Sung-soo
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
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Kim Jang-rae
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
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Suh Kang-deog
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
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Jung Tae-sung
Memory Division Samsung Electoronics Co. Ltd.
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大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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渡辺 重佳
株式会社東芝 先端半導体デバイス研究所
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神田 和重
株式会社東芝
著作論文
- 5. 大容量データストレージ技術 5-4 大容量フラッシュメモリ (大規模データ処理を支えるエレクトロニクス : マルチメディア世界の到来に向けて)
- 180ns/Byte高速書き込み可能な120mm^2 64Mビット NAND EEPROM
- フラッシュメモリセルアレイ用の新しい評価回路
- フラッシュEEPROMセルの新しいしきい値電圧分布測定方法
- STIプロセス技術を用いた130mm^2 256Mbit NAND型 Flash EEPROM
- NAND EEPROM における新しいビットごとベリファイ回路の提案
- NAND EEPROM における新しいビットごとベリファイ回路の提案
- 高密度・低電圧NAND EEPROM設計のためのビット線シールド技術
- NANDフラッシュメモリの現状と将来技術
- Silicon Movie時代に向けた大容量NAND型フラッシュメモリ技術