遠藤 哲郎 | 東北大学 電気通信研究所
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概要
関連著者
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遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
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舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
明治大学理工学部電子通信工学科
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桜庭 弘
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
明治大学大学・理工学部・電気電子生命学科
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遠藤 哲郎
明治大学理工学部
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稲葉 直彦
明治大学電気電子生命学科
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遠藤 哲郎
明治大学理工学部電気電子生命学科
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稲葉 直彦
明治大学研究・知財戦略機構
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鈴木 正彦
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
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岩井 信
東北大学電気通信研究所
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舛岡 富士雄
東北大学 電気通信研究所
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関川 宗久
東京大学生産技術研究所
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日置 雅和
東北大学電気通信研究所
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桜庭 弘
東北大学 電気通信研究所
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清水 邦康
明治大学
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稲葉 直彦
明治大学理工学部電気電子生命学科
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レンスキ マルクス
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
明治大学電気電子生命学科
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須永 和久
東北大学電気通信研究所
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清水 邦康
千葉工業大学
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岩井 信
東北大学 電気通信研究所
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太田 人嗣
東北大学電気通信研究所
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篠塚 吉正
明治大学理工学部電子通信工学科
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吉永 哲哉
徳島大学大学院ヘルスバイオサイエンス研究部
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中村 広記
東北大学電気通信研究所
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伊藤 薫
明治大学電気電子生命学科
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藤本 憲市
徳島大学大学院ヘルスバイオサイエンス研究部
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西 亮輔
東北大学電気通信研究所
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高田 明雄
函館工業高等専門学校
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高田 明雄
函館工業高等専門学校 電気電子工学科
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清水 邦康
千葉工業大学工学部電気電子情報工学科
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吉永 哲哉
徳島大学医学部
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松岡 史宜
東北大学電気通信研究所
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鈴木 正彦
東北大学 電気通信研究所
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森 雅朋
東北大学電気通信研究所
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小倉 孝之
通信・放送機構仙台リサーチセンター
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桜庭 弘
通信・放送機構仙台リサーチセンター
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遠藤 哲郎
通信・放送機構仙台リサーチセンター
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舛岡 富士雄
通信・放送機構仙台リサーチセンター
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田中 久暢
電気通信大学
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小倉 孝之
通信・放送機構仙台リサーチセンター : シャープ(株)基盤技術研究所
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神山 恭平
明治大学大学院理工学研究科電気工学専攻博士前期課程
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神明 克尚
東北大学電気通信研究所
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今井 征雄
明治大学大学・理工学部・電気電子生命学科
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加藤 享佑
明治大学・理工学部・電気電子生命学科
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千葉 裕平
明治大学大学・理工学部・電気電子生命学科
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加藤 享佑
明治大学大学・理工学部・電気電子生命学科
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斎藤 悠斗
千葉工業大学
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小室 元政
帝京科学大学総合教育センター
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坪内 孝司
筑波大学大学院システム情報工学研究科知能機能システム専攻
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田中 久陽
電気通信大学 大学院情報システム学研究科
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坪内 孝司
筑波大学大学院システム情報工学研究科
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坪内 孝司
筑波大学大学院
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遠藤 哲郎
明治大学大学院理工学研究科
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有賀 悠葵
明治大学理工学部電子通信工学科
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太田 人嗣
東北大学 電気通信研究所
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木村 康隆
東北大学 電気通信研究所
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船木 寿彦
東北大学電気通信研究所
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白田 理一郎
東芝・セミコンダクター社メモリ事業部
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白田 理一郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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清水 邦康
千葉工業大学電気電子情報工学科
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田中 久陽
電気通信大学
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坪内 孝司
筑波大学 電子・情報工学系
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坪内 孝司
筑波大学大学院 システム情報工学研究科
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関川 宗久
Jst First 合原最先端数理モデルプロジェクト
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北 大樹
明治大学理工学部電気電子生命学科
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斎藤 悠斗
千葉工業大学工学部電気電子情報工学科
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坪内 孝司
筑波大
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小室 元政
帝京科学大学医療科学部
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鎌田 弘之
明治大学理工学部電気電子生命学科
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白石 賢二
筑波大院数物
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遠藤 哲郎
東北大学際センター
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遠藤 哲郎
明治大学 理工学部 電子通信工学科
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山本 安衛
東北大学電気通信研究所
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日置 雅和
東北大学 電気通信研究所
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長谷川 晃朗
岐阜大学工学部電気電子工学科
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一木 守二
明治大学理工学部電子通信工学科
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門間 優太
東北大学電気通信研究所
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木村 康隆
東北大学電気通信研究所
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レンスキ マルクス
東北大学 電気通信研究所
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中村 広記
東北大学 電気通信研究所
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片岡 耕太郎
通信・放送機構仙台リサーチセンター
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藤原 郁夫
通信・放送機構仙台リサーチセンター
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林田 茂樹
通信・放送機構仙台リサーチセンター
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梅谷 正人
通信・放送機構仙台リサーチセンター
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田辺 昭
通信・放送機構仙台リサーチセンター
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田辺 昭
通信・放送機構 仙台リサーチセンター
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片岡 耕太郎
通信・放送機構 仙台リサーチセンター
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廣瀬 和之
Jaxa宇宙科学研究本部総合研究大学院大学 宇宙科学専攻
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作井 康司
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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百冨 正樹
東芝メモリ事業部メモリ技術第一部
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鎌田 弘之
明治大学理工学部
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関川 宗久
JST,FIRST,合原最先端数理モデルプロジェクト
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齋藤 悠斗
千葉工業大学電気電子情報工学科
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白石 賢二
筑波大学 大学院 数理物質科学研究科
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長谷川 晃朗
明治大学理工学部電子通信工学科
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岩崎 大輔
岩手大学工学部
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中村 和敏
東北大学電気通信研究所
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藤原 郁夫
通信・放送機構 仙台リサーチセンター
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梅谷 正人
通信・放送機構 仙台リサーチセンター
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林田 茂樹
通信・放送機構 仙台リサーチセンター:(現)シャープ株式会社
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鎌田 弘之
明治大 理工
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冨永 謙一郎
東北大学電気通信研究所
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神山 恭平
明治大学理工学部
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白石 賢二
Crest:筑波大数理物質
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千葉 裕平
明治大学・理工学部・電気電子生命学科
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今井 征雄
明治大学・理工学部・電気電子生命学科
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遠藤 哲郎
明治大学・理工学部・電気電子生命学科
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岩崎 大輔
明治大学理工学部
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石田 義久
明治大学理工学部
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坂本 渉
東北大学電気通信研究所
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センター
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大内 和則
株式会社東芝研究開発センター
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西尾 芳文
徳島大学工学部
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中村 寛
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センターulsi研究所
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松岡 史宜
東北大学 電気通信研究所
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粟屋 信義
シャープ株式会社技術本部
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清水 邦康
明治大学理工学部電子通信工学科
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清水 邦康
明治大学 理工学部電子通信工学科
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山内 健太郎
明治大学理工学部電子通信工学科
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上島 直樹
明治大学大学院理工学研究科
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堤 清文
明治大学大学院理工学研究科
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木下 和司
シャープ株式会社プロセス開発センター
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谷上 拓司
東北大学電気通信研究所
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和田 昌久
シャープ株式会社プロセス開発センター
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佐藤 功太
シャープ株式会社プロセス開発センター
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山田 和也
シャープ株式会社プロセス開発センター
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横山 敬
東北大学電気通信研究所
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竹内 昇
東北大学電気通信研究所
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田中 研一
シャープ株式会社プロセス開発センター
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崎山 恵三
シャープ株式会社プロセス開発センター
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山下 弘臣
東北大学 電気通信研究所
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須永 和久
東北大学 電気通信研究所
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三浦 雅和
東北大学電気通信研究所
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松尾 明
通信・放送機構 仙台リサーチセンター
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大野 亙
豊田工業高等専門学校電気・電子システム工学科
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石田 義久
明治大学理工学部電子通信工学科
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松久 浩一郎
明治大学理工学部電子通信工学科
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先山 智央
明治大学理工学部電子通信工学科
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梅沢 陽平
明治大学理工学部電子通信工学科
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中村 寛
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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有留 誠一
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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田中 智晴
株式会社東芝研究開発センター、ULSI研究所
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百冨 正樹
株式会社東芝半導体デバイス技術研究所
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西尾 芳文
徳島大学
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田中 久陽
ソニーコンピュータサイエンス研究所
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石田 義久
明治大 理工
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稲葉 直彦
稲葉研究所
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関川 宗久
JST, FIRST,合原最先端数理モデルプロジェクト
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山本 智之
千葉工業大学電気電子情報工学科
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舛岡 冨士雄
東芝 Ulsi研究所
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有留 誠一
東芝,ULSI研究所
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白田 理一郎
東芝,ULSI研究所
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遠藤 哲郎
東芝,ULSI研究所
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舛岡 冨士雄
東芝,ULSI研究所
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田中 智晴
(株)東芝 メモリ事業部
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白田 理一郎
東芝研究開発センター、ULSI研究所
-
作井 康司
東芝半導体デバイス技術研究所
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粟屋 信義
シャープ株式会社 技術本部
-
粟屋 信義
シャープ株式会社プロセス開発センター
-
五十嵐 量
明治大学理工学部電子通信工学科
-
松尾 明
通信・放送機構 仙台リサーチセンター:(現)アネルバ株式会社
-
有留 誠一
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
石尾 芳文
徳島大学工学部電気電子工学科
-
大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
渡辺 重佳
株式会社東芝 先端半導体デバイス研究所
-
大井 俊治
明治大学理工学部電子通信工学科
-
山本 智之
千葉工業大学 電気電子情報工学科
-
齋藤 悠斗
千葉工業大学工学部電気電子情報工学科
-
塚本 和孝
塚本研究所
-
篠塚 吉正
明治大学理工学部電気電子生命学科
-
関川 宗久
JST, FIRST, 合原最先端数理モデルプロジェクト
-
稲葉 直彦
明治大学研究知財戦略機構
-
岩崎 大輔
明治大学理工学部電気電子生命学科
-
藤原 澄人
明治大学理工学部電気電子生命学科
-
伊藤 薫
明治大学理工学部電気電子生命学科
著作論文
- C-11-9 部分空乏型および完全空乏型SOI MOSFETの過渡応答
- ガウス性ノイズ発生用CMOS型PLL FM復調器に関する実験的考察
- A-1-51 CMOS PLLを用いたホワイトノイズ発生に関する考察(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- CMOS PLLを用いたホワイトノイズの発生(生命現象,一般)
- Surrounding Gate Transistor(SGT)型ゲインセルを用いた新しいNAND DRAM(集積エレクトロニクス)
- Buried Gate type SGTフラッシュメモリ
- C-11-8 3 次元構造 Surrounding Gate Transistor (SGT) の下部拡散層形状解析方法の提案
- C-11-4 Buried Gate 型 SGT フラッシュメモリセル
- 同期理論の基礎と応用 数理科学,化学,生命科学から工学まで, Arkady Pikovsky,Michael Rosenblum,Jurgen Kurths(原著), 徳田功(訳), 丸善, 2009-12, A5判, 定価(本体8,800円+税)
- C-11-3 Surrounding Gate Transistor (SGT) DRAM セルのソフトエラー現象の解析
- C-11-4 Double Gate-SOI(DG-SOI)MOSFETのソフトエラーのα粒子入射軌道依存性
- C-11-5 Double Gate-SOI(DG-SOI)MOSFETにおけるソフトエラー現象の解析
- C-11-3 Surrounding Gate Transistor(SGT) DRAMのソフトエラー耐性に関する考察
- A-2-37 非線形結合されたvan der Pol発振器の平均化法による同期解析(A-2.非線形問題,一般講演)
- 非線形結合された二つのvan der Pol発振器の平均化法による同期特性の解析(非線形問題)
- 粘菌モデルから導出される新しい同期化法の平均化法による解析
- 発振器の結合系における2重モード解の分岐現象
- 発振器の結合系における分岐現象 : 非線形性を強めた場合(研究速報)
- 擬似カオスシステムの周期性と計算精度との関係について(通信と非線形特集及び一般)
- 発振器の結合系に見られる遷移ダイナミックスとカオス(非線形問題)
- 発振器の結合系にみられる遷移ダイナミックスとカオス
- NLP2000-37 / NC2000-31 カオスを用いた位相同期回路の引込み範囲の拡大について
- トランジスタ構造の立体化 : 縦型MOSトランジスタの高密度メモリーへの可能性
- ハローインプランテーション技術を用いた30nmゲート長ダブルゲートMOSFETの研究,AWAD2006)
- ハローインプランテーション技術を用いた30nmゲート長ダブルゲートMOSFETの研究
- C-11-6 Stacked-SGT DRAMを用いた2.4F^2メモリセル技術
- C-11-5 Si柱側壁表面の平滑化
- フラッシュメモリ技術
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおけるカップリング比の柱半径依存性
- C-11-4 Multi-Pillar Surrounding Gate 型 MOSキャパシタの試作プロセス
- C-11-3 Surrounding Gate Transistor における基板バイアス効果の拡散層形状依存性
- C-11-1 高電流利用効率を実現したCMOS降圧回路の直流特性
- ULSI用超低消費電力CMOS降圧回路
- A Stacked-Surrounding Gate Transistor(S-SGT)Structured Cellを用いた新しい高密度フラッシュメモリ
- SGTの基板バイアス効果を抑制させる拡散層形状に関する解析
- C-11-6 Surrounding Gate Transistorにおける基板バイアス効果を抑制するためのりソース・ドレインエンジニアリング
- C-11-5 0.4μmMOSプロセス技術を用いたMUlti-Pillar Surrounding Gate型 MOS キャパシタ
- C-11-4 Floating Channel type SGT (FC-SGT)フラッシュメモリにおける書込・消去特性のフローティングゲート膜厚依存性
- C-11-2 超低消費電力降圧回路の試作
- Surrounding Gate Transistor(SGT)における基板バイアス効果を抑制するための新しいソース・ドレインエンジニアリング
- 0.4μmMOSプロセス技術を用いたMulti-Pillar Surrounding Gate型MOSキャパシタ
- 5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェハ搬入条件
- 5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェア搬入条件
- C-11-10 Double Gate MOSFETの新しい構造と試作プロセスの提案
- C-11-9 超低消費電力を指向したオンチップ用CMOS降圧回路
- C-11-7 高信号を実現する三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAM
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおける書込・消去特性の柱半径依存性
- C-11-5 高集積化を実現するFloating Channel type SGT(FC-SGT)Flashメモリセルのビットライン形成法
- 新しい基板コンタクト型パストランジスタ
- 新しい基板コンタクト型パストランジスタを用いた全加算器
- C-12-9 超高電流利用率を実現したULSI用降圧回路
- C-11-12 GHz動作における拡散層 : 拡散層間クロストークの解析
- C-11-11 Multi-Pillar Surrounding Gate Transistorの高速動作に関する解析
- C-11-7 F__-loatingC__-hannel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおける消去動作の解析
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT) Flashメモリセルにおけるフローティングチャネル形成プロセス
- C-11-2 Stacked-SGT DRAMのセルデザインの提案
- C-11-1 低Bit Line容量を実現する三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAM
- FLASHメモリ技術動向と将来
- 三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAMのアレイ構成及び読み出し方法
- 超低消費電力を指向したULSI用降圧回路
- 理想的なSファクタを実現する完全空乏型Duble-Gate SOI MOSFETのスケーリング理論
- Stacked-SGT DRAMを用いた2.4F^2メモリセル技術
- 高速動作・低消費電力M-SGT試作プロセスの提案
- Floating Channel type SGT (FC-SGT) Flashメモリにおける書込・消去特性の数値的解析
- Floating Channel type SGT (FC-SGT) Flashメモリの試作プロセスの提案
- 均一な厚さの極薄シリコン酸化膜を形成するための酸化炉搬入方法
- 微細MOSFETデバイスの試作に用いる電子線描画に関する研究
- Double Side Quasi-SOI MOSFET
- 全パターンをEBで露光した0.2μm nMOSFETの試作
- 汎用オーディオ機器を用いたカオスによる多重通信
- 高密度・低電圧NAND EEPROM設計のためのビット線シールド技術
- ULSI用超低消費電力CMOS降圧回路
- Surrounding Gate Transistor(SGT)における基板バイアス効果を抑制するための新しいソース・ドレインエンジニアリング
- 0.4μmMOSプロセス技術を用いたMulti-Pillar Surrounding Gate型MOSキャパシタ
- あるSlow-Fast系にみられる混合モード振動の崩壊
- 2つのダイオードを含む4次元自励振動回路にみられるトーラスの崩壊とカオス
- 強制BVP発振器にみられる亜臨界的なホップ分岐とマルチモード振動
- あるSlow-Fast回路にみられる混合モード振動の回路実験(一般)
- あるSlow-Fast回路にみられる混合モード振動の回路実験(一般)
- 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源,AWAD2006)
- 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源
- ガウス性ノイズ発生用CMOS型PLL FM復調器に関する実験的考察
- C-12-26 超低消費電力を指向したULSI用降圧回路の試作
- Stacked-SGT DRAMを用いた2.4F^2メモリセル技術
- Double Side Quasi-SOI MOSFET
- C-11-6 完全空乏型Double-Gate SOI MOSFETの短チャネル効果の解析及びスケーリング理論の提案
- C-11-4 Floating Channel type SGT (FC-SGT) Flashメモリにおける書込・消去動作の解析
- C-11-3 三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAM
- C-11-2 新しい基板コンタクト型パストランジスタの提案
- Floating Channel Type SGT Flashメモリ
- Floating Channel Type SGT Flashメモリ
- 完全空乏型Double-Gate SOI MOSFETの短チャネル効果の解析及びスケーリング理論の提案
- 完全空乏型Double-Gate SOI MOSFETの短チャネル効果の解析及びスケーリング理論の提案
- 次世代超高集積DrAMの為の新しい三次元メモリアレイアーキテクチャ
- 次世代超高集積DRAMの為の新しい三次元メモリアレイアーキテクチャ
- 3次元階層型メモリアレー技術を用いたStacked-SGT DRAM
- 3次元階層型メモリアレー技術を用いたStacked-SGT DRAM
- Multi-SGTの高速動作に関する解析
- Multi-SCTの高速動作に関する解析
- 大負荷電流を駆動できる新しい低消費電力降圧回路
- 大負荷電流を駆動できる新しい低消費電力降圧回路
- フラッシュEEPROMのデータ書換え特性
- フラッシュEEPROMのデータ書換え特性
- NANDフラッシュメモリの現状と将来技術
- フラッシュメモリの信頼性
- 発振回路の動作方程式の導出と応用結果(1) : 相互同期分散振動子(SDO)の動作機構
- 4個の環状結合PLL系に見られる分岐と間欠カオス
- NLP2000-37 / NC2000-31 カオスを用いた位相同期回路の引込み範囲の拡大について
- 位相同期回路にみられるカオスアトラクタの爆発と間欠性の電子回路実験
- 6個の硬発振器の環状結合系に見られるパルス波動伝搬 : タイプ2の定在波解から出発した場合
- 微小周期外乱下におけるBVP発振器にみられる振幅死とカオス
- 位相同期回路のカオスによるホワイトノイズの発生(システム制御情報における確率論の先端応用)
- 微小外力を含む4区分線形BVP発振器にみられる振幅死現象とカオス
- 微小外力を含む4区分線形BVP発振器にみられる振幅死現象とカオス
- チャージポンプ付き位相同期回路を用いた1/fノイズの発生 : LT-SPICEによるシミュレーション研究報告
- チャージポンプ付き位相同期回路を用いた1/fノイズの発生 : LT-SPICEによるシミュレーション研究報告
- 位相同期回路のカオスを用いたホワイトノイズの発生 : LT spiceによるシミュレーション報告
- 位相同期回路のカオスを用いたホワイトノイズの発生 : LT spiceによるシミュレーション報告
- 拡張BVP発振器に見られるcanard-induced MMOsの回路実験と3-time scale systemに見られるMMOs (非線形問題)
- 6個の硬発振器の環状結合系におけるスイッチング準周期解の分岐
- 3個の硬発振器の環状結合系における包絡線が3相同期した進行波解の一考察 (結合力学系のダイナミクスと応用)
- 微小外力を含む4区分線形BVP発振器にみられる振幅死現象とカオスのメカニズムの解明
- 4LCカオス発振器における3-トーラスアーノルドタングの可能性
- 微小外力を含む4区分線形BVP発振器にみられる振幅死現象とカオスのメカニズムの解明-その2
- 微小外力を含む4区分線形BVP発振器にみられる振幅死現象とカオスのメカニズムの解明-その3 : 滑らかな強制BVP発振器にみられる現象との類似性について
- 拡張BVP発振器に見られるcanard-induced MMOsの回路実験と3-time scale systemに見られるMMOs
- 高次元系に見られるn-トーラスアーノルドタングの発生の可能性について
- 微小外力を含むBVP型拘束方程式に見られる微小振動の崩壊と安定な弛張振動解
- 拡張BVP発振器にみられるMMOs遍歴とカオス
- 周期解から2-トーラス,3-トーラスへの遷移
- 周期解から2-トーラス,3-トーラスへの遷移
- 拡張BVP発振器における微小周期外乱下でのMMOsの挙動(非線形問題)
- 2-トーラスと3-トーラスの境界について
- 摂動の存在する場合のMMOsの波形に関する考察
- 摂動の存在する場合のMMOsの波形に関する考察