5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェア搬入条件
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概要
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本論文では、5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のための8インチSiウェハ搬入条件を明らかにした。5nm以下の均一なゲート酸化膜を得るため、以下のようなウェハ搬入技術が提案された。:(1)酸化を抑制するため、100%N_2雰囲気の酸化炉の条件下で、低温の搬入温度を用いる。(2)中温の搬入温度でシリコンの窒化の保護膜を形成するため前酸化を行う。(3)酸化を抑制するため、100%N_2雰囲気の中で酸化温度まで最後の温度上昇を行う。この提案された技術によって、膜厚4.2nm、膜厚偏差4.0%未満のゲート酸化膜厚が850℃の従来の酸化条件下で形成される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-28
著者
-
岩井 信
東北大学電気通信研究所
-
桜庭 弘
東北大学 電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
-
舛岡 富士雄
東北大学 電気通信研究所
-
岩井 信
東北大学 電気通信研究所
-
レンスキ マルクス
東北大学電気通信研究所
-
レンスキ マルクス
東北大学 電気通信研究所
-
木村 康隆
東北大学 電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
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