C-11-5 0.4μmMOSプロセス技術を用いたMUlti-Pillar Surrounding Gate型 MOS キャパシタ
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-08-29
著者
-
舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
-
桜庭 弘
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
-
鈴木 正彦
東北大学電気通信研究所
-
岩井 信
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学 電気通信研究所
-
太田 人嗣
東北大学電気通信研究所
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