NAND型DRAMにおける折り返しビット線方式の検討
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概要
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DRAMセルを直列接続した構造を基本単位とするNAND型DRAMにおいて、ノイズ耐性の優れた折り返し型ビット線方式を適用する方法を開発した。NAND型DRAMは、メモリセルが全てのワード線とビット線の交点に配置されているので1ビットあたりのセルサイズが小さくなる反面、ワード線を選択した際に全てのビット線にメモリセルのデータが転送されるため、参照ビット線をセンスアンプをはさんで反対側にしか配置できず、ノイズ耐性に劣る開放型ビット線構成を用いざるを得なかった。今回提案する方法では2本のビット線にデータが交互に転送されるので、これらが互いを参照ビット線としながらアクセスされ、折り返しビット線構成を実現できる。
- 1994-12-15
著者
-
舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
-
白武 慎一郎
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
中野 浩明
東芝セミコンダクター社
-
白武 慎一郎
東芝研究開発センター
-
高島 大三郎
東芝研究開発センター
-
長谷川 武裕
東芝研究開発センター
-
中野 浩明
東芝研究開発センター
-
大脇 幸人
東芝研究開発センター
-
渡辺 重佳
東芝研究開発センター
-
大内 和則
東芝研究開発センター
-
大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
-
大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
-
高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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