C-11-4 二次又は三次ポテンシャル関数を利用するバルクMOSFETにおける電位と短チャネル閾値電圧の準二次元解析モデリング(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-08
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