SGT試作のためのSi柱側壁の犠牲酸化
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概要
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Surrounding Gate Transistor (SGT)試作のために, 酸化膜厚1000A, ドライ1050℃, O_2含有率10%でSi柱側壁の犠牲酸化を行った.その結果, 凸面が凹面より酸化されやすくなり酸化速度低下による応力緩和が行われ, 円となることが示された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-01
著者
-
舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
-
中村 広記
東北大学電気通信研究所
-
桜庭 弘
東北大学電気通信研究所
-
日高 剛
東北大学電気通信研究所
-
網川 裕之
東北大学電気通信研究所
-
日高 剛
東北大学 電気通信研究所
-
網川 裕之
東北大学 電気通信研究所
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