C-11-3 高カップリング比を実現する新しいSurrounding Gate Transistor (SGT) Flash Memory Cellの提案(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)

スポンサーリンク

概要

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク