完全空乏型Double-Gate SOI MOSFETの短チャネル効果の解析及びスケーリング理論の提案
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概要
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本論文では, 完全空乏型Double-Gate SOI MOSFETの短チャネル効果を解析する. 具体的には, Sファクタにおける短チャネル効果を解析的にモデル化し, さらにそのチャネル長依存性を定量的に明らかにする. これらの結果から理想的なSファクタを実現するスケーリング理論を提案する.
- 1999-02-25
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