C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-03-05
著者
-
成田 克
山形大学工学部
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
遠藤 哲郎
東北大学電気通信研究所
-
深田 祐介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
遠藤 哲郎
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
-
中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
中澤 日出樹
弘前大学理工学部
-
伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
成田 克
九州工業大学工学部
-
安部 和貴
長岡技術科学大学電気系
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
-
末光 眞希
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
末光 眞希
東北大通研
-
末光 真希
東北大学電気通信研究所
-
中澤 日出樹
弘前大学
-
成田 克
山形大学
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
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