Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い : リアルタイム光電子分光測定から(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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Si(110)-16×2表面の初期酸化過程をリアルタイム光電子分光法により評価し,Si(100)面酸化と比較した.Si(110)表面ドライ酸化は酸素導入開始直接に表面の数分の1原子層が直ちに酸化される急速初期酸化を示す.急速初期酸化は結合エネルギーの弱いOls状態の発展を伴い,酸化の進行に従って,より結合エネルギーの高いOis状態がより強く発展する.急速初期酸化は16×2再配列構造に含まれるとされるSi(111)ライクな表面アドアトム近傍の酸化と関係付けられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-14
著者
-
成田 克
山形大学工学部
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
吉越 章隆
日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
寺岡 有殿
原研
-
山本 喜久
スタンフォード大学ギンズトン研究所
-
末光 眞希
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
今野 篤史
東北大学
-
山本 喜久
東北大学電気通信研究所
-
富樫 秀晃
東北大学電気通信研究所
-
加藤 篤
東北大学電気通信研究所
-
吉越 章隆
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
加藤 篤
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
富樫 秀晃
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
今野 篤史
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
山本 喜久
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
成田 克
九州工科大学
-
吉越 章隆
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
吉越 章隆
原研 放射光科学研セ
-
山本 喜久
NTT電気通信研究所
-
山本 喜久
国立情報学研究所:スタンフォード大学
-
山本 喜久
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所:スタンフォード大学 ギンツトン研究所
-
山本 喜久
スタンフォード大:nii
-
山本 喜久
スタンフォード大学 国際共同研究量子もつれプロジェクト
-
山本 喜久
E.l. Ginzton Laboratory Stanford University
-
山本 喜久
国立情報学研究所情報学プリンシプル研究系
-
山本 喜久
国立情報学研究所:スタンフォード大学:東京大学
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構
-
山本 喜久
国立情報学研究所量子情報国際研究センター:スタンフォード大学ギンツトン研究所
-
寺岡 有殿
日本原子力研究所放射光科学研究センター
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
-
成田 克
山形大学
-
吉越 章隆
日本原子力研究所
-
寺岡 有殿
日本原子力研究所
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