室温における酸素分子のSi(111)-7×7表面での初期吸着ダイナミクス
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本表面科学会の論文
- 2006-08-10
著者
-
吉越 章隆
日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター
-
盛谷 浩右
兵庫県立大学大学院工学研究科機械系工学専攻
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
寺岡 有殿
原研
-
盛谷 浩右
日本原子力研究開発機構 放射光科学研究ユニット
-
吉越 章隆
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
成廣 英介
大阪府立大学理学系研究科
-
盛谷 浩右
大阪大学大学院理学研究科化学専攻
-
吉越 章隆
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
吉越 章隆
原研 放射光科学研セ
-
成廣 英介
大阪府立大学大学院理学系研究科物理科学専攻
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構
-
寺岡 有殿
日本原子力研究所放射光科学研究センター
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
-
吉越 章隆
日本原子力研究所
-
寺岡 有殿
日本原子力研究所
関連論文
- APPLE-2型アンジュレータの高速位相変調を用いた高分解能円二色性実験
- 24pPSA-47 金属表面の水素分子吸着脱離過程におけるホットアトム機構の関与
- 24aPS-48 Ir(001)表面上への水素吸着(II)
- 29a-PS-47 Ir(001)表面上への水素吸着(I)
- 22aPS-98 挿入光源の周期的位相駆動による軟X線円二色測定系の立ち上げ
- 超音速酸素分子ビームによる並進運動エネルギー誘起Ti(0001)表面酸化反応
- 超音速窒素分子ビームを用いたTi(0001)表面窒化反応のリアルタイム光電子分光観察
- 高輝度・高分解能放射光で見えてきた表面化学反応ダイナミクス : 超音速O_2分子線で誘起される表面酸化反応のその場光電子分光
- リアルタイム光電子分光によるTi(0001)表面酸化反応の観察
- 15aPS-23 極薄 Ti 酸化膜の分解過程のリアルタイム光電子分光観察(領域 9)
- Ti(0001)表面酸化における極薄酸化膜成長と酸化状態
- 22aYE-9 Ti(0001) 表面酸化における極薄酸化膜形成過程のリアルタイム計測
- 19pPSB-46 Ir{111}表面における金薄膜の形成と水素吸着
- リアルタイム光電子分光によるTi(0001)表面酸化反応の「その場」観察
- 22pPSB-12 高分解能XPSおよび超音速分子線法による4H-SiC(0001)表面の酸化過程の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-48 超音速分子線によるRu(0001)表面上の酸素吸着の研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- シリコンと酸素の表面反応における運動エネルギーの影響
- シリコン表面の初期酸化における酸素分子線の運動エネルギー効果
- 放射光リアルタイム光電子分光で観たSi(111)表面の酸化過程
- Al(111)表面における超音速N_2ビームによる極薄AlN膜形成
- Cu_3Au表面自然酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究
- Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si(001)表面における酸化膜形成とSiO脱離の共存機構
- 室温における酸素分子のSi(111)-7×7表面での初期吸着ダイナミクス
- Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い : リアルタイム光電子分光測定から(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 27pXJ-15 Real-Time Synchrotron XPS and Nuclear Reaction Analysis Study on Growth Acceleration of Ultra-thin Alumina Films by Water Oxidation of NiAl
- N^+ビーム照射で形成したSi酸窒化膜における窒素化学結合状態の放射光X線光電子分光測定
- 15aPS-26 SiO 質量分析と Si-2p 光電子分光の同時計測による Si(001) 表面における SiO 脱離と酸化膜形成の反応ダイナミクス(領域 9)
- 15aPS-22 銅表面における酸素吸着反応ダイナミクス(領域 9)
- 超音速酸素分子線を用いたSi(001)表面の高温酸化過程における化学反応ダイナミクス
- 超熱酸素分子線による銅ならびに銅金合金表面の酸化反応研究
- 超高真空対応型配向分子線ビームラインの開発
- 28pPSB-42 表面反応ダイナミクス研究のための超高真空対応配向分子ビーム装置の開発 (1)
- 光電子ホログラフィーの新しい解析法
- 15aPS-45 Ge(001) のオージェ電子ホログラムからの立体的な原子配列の再構成(領域 9)
- 23aYD-11 単一波長の光電子ホログラフィーから原子の立体配列を再生する新しいアルゴリズム
- Wavelet 変換を利用した SPring-8 ID23による軌道変動の解析
- リアルタイム光電子分光による極薄チタニウム酸化膜形成過程の「その場」観察 (特集/放射光利用とナノテクノロジー)
- 埋め込み金属層基板を用いた赤外反射吸収分光法と放射光励起表面反応
- 放射光光電子分光による重水素イオン注入V_Cr_Ti_表面の熱変性分析
- TiAl表面酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究
- 低速原子散乱分光装置の計測制御系
- ビーム応用
- 放射光リアルタイム光電子分光を用いた酸素ガスによる Si(OO1)表面の熱酸化初期過程の"その場"観察
- ガスクラスターSIMSによるタンパク質分子の計測
- サイズ選別型ガスクラスターSIMSの開発
- TiAl表面酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究
- サマリー・アブストラクト
- 高分解能放射光を用いたその場光電子分光法でみるSi(001)表面の酸化反応ダイナミクス
- 超音速O_2分子ビームで誘起されるSi(001)室温酸化の反応ダイナミクス
- O_2分子のSi(001)表面への初期吸着とSiO脱離に及ぼす運動エネルギーの影響
- 超音速O_2分子線を用いたSi(001)表面の初期酸化過程 : 清浄表面と部分酸化表面での酸化反応機構の相違点
- 酸素分子の並進運動エネルギーで誘起されるSi(001)表面酸化状態の放射光光電子分光法によるリアルタイム観察
- 酸素分子の運動エネルギーによって誘起されるSi(001)初期酸化過程の高分解能光電子分光解析
- 部分酸化Si(001)表面のO_2並進運動エネルギー誘起酸化とその場放射光光電子分光観察
- 酸素分子の並進運動エネルギー誘起Si(001)表面初期酸化過程の放射光光電子分光法による"その場"観察
- 放射光X線光電子分光を用いた超熱酸素分子線に誘起されるNiTi表面酸化過程の解明
- Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 放射光リアルタイムXPSで観たSi(111)-7×7の室温酸化における初期酸化物とその生成過程
- 放射光リアルタイムXPSで観たSi(111)-7×7の室温酸化における初期酸化物とその生成過程
- リアルタイム光電子分光によるグラフェン・オン・ダイヤモンド形成過程の観察
- Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定
- 6aSP-4 放射光光電子分光とRHEED-AESによるTi(0001)単結晶表面酸化過程の「その場」観察(表面界面ダイナミクス,領域9)
- 6aSP-1 超音速酸素分子ビームによるCu{001}表面の酸化過程の光電子分光研究(表面界面ダイナミクス,領域9)
- 8aSP-1 O2分子の運動エネルギー誘起されるSi(001)表面の酸化反応素過程(表面界面ダイナミクス,領域9)
- Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)