22pPSB-12 高分解能XPSおよび超音速分子線法による4H-SiC(0001)表面の酸化過程の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2007-08-21
著者
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
寺岡 有殿
原研
-
高橋 真
コベルコ科研:京大院理:原研
-
有賀 哲也
コベルコ科研
-
寺岡 有殿
コベルコ科研
-
吉越 章隆
コベルコ科研
-
吉越 章隆
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
有賀 哲也
京大院理:jst-crest
-
吉越 章隆
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
吉越 章隆
原研 放射光科学研セ
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構
-
寺岡 有殿
日本原子力研究所放射光科学研究センター
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
-
有賀 哲也
京都大学大学院理学研究科
関連論文
- 21pPSA-15 Cu(110)表面における水少数クラスターの実空間観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-9 Pb/Ge(111)-β(√×√)R30°の表面構造と電子状態(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pGQ-5 Geに由来する表面状態のRashbaスピン分裂構造(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pGL-7 表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究II(20pGL 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYG-6 4/3原子層鉛吸着したGe(111)表面のスピン分裂した電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 超音速酸素分子ビームによる並進運動エネルギー誘起Ti(0001)表面酸化反応
- 超音速窒素分子ビームを用いたTi(0001)表面窒化反応のリアルタイム光電子分光観察
- 高輝度・高分解能放射光で見えてきた表面化学反応ダイナミクス : 超音速O_2分子線で誘起される表面酸化反応のその場光電子分光
- リアルタイム光電子分光によるTi(0001)表面酸化反応の観察
- 15aPS-23 極薄 Ti 酸化膜の分解過程のリアルタイム光電子分光観察(領域 9)
- Ti(0001)表面酸化における極薄酸化膜成長と酸化状態
- 22aYE-9 Ti(0001) 表面酸化における極薄酸化膜形成過程のリアルタイム計測
- 18aTG-4 Tl/Ge(111)-(3×1)表面の原子構造および電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aPS-17 Tl吸着Ge(111)表面の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-14 角度分解光電子分光法によるGe(111)3×1-Tl表面の電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- リアルタイム光電子分光によるTi(0001)表面酸化反応の「その場」観察
- 22pPSB-12 高分解能XPSおよび超音速分子線法による4H-SiC(0001)表面の酸化過程の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-48 超音速分子線によるRu(0001)表面上の酸素吸着の研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWB-5 Tl/Ge(111)-(1×1)表面の構造と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- シリコンと酸素の表面反応における運動エネルギーの影響
- シリコン表面の初期酸化における酸素分子線の運動エネルギー効果
- 放射光リアルタイム光電子分光で観たSi(111)表面の酸化過程
- Al(111)表面における超音速N_2ビームによる極薄AlN膜形成
- Cu_3Au表面自然酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究
- Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si(001)表面における酸化膜形成とSiO脱離の共存機構
- 室温における酸素分子のSi(111)-7×7表面での初期吸着ダイナミクス
- Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い : リアルタイム光電子分光測定から(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 27pXJ-15 Real-Time Synchrotron XPS and Nuclear Reaction Analysis Study on Growth Acceleration of Ultra-thin Alumina Films by Water Oxidation of NiAl
- N^+ビーム照射で形成したSi酸窒化膜における窒素化学結合状態の放射光X線光電子分光測定
- 15aPS-26 SiO 質量分析と Si-2p 光電子分光の同時計測による Si(001) 表面における SiO 脱離と酸化膜形成の反応ダイナミクス(領域 9)
- 15aPS-22 銅表面における酸素吸着反応ダイナミクス(領域 9)
- 超音速酸素分子線を用いたSi(001)表面の高温酸化過程における化学反応ダイナミクス
- 超熱酸素分子線による銅ならびに銅金合金表面の酸化反応研究
- 30aYE-12 Cu(001)-5×1-Ga擬一次元原子鎖の構造と表面電子状態(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
- 表面系の Rashba 効果
- 27aYG-7 Bi/Ge(111)-"2×1"表面の原子構造と電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pPSB-5 角度分解光電子分光法によるSb/Ge(111)-(2×1)表面の電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aYH-12 金属表面におけるプロトン移動の実空間観測(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 水の少数クラスターにおける水素結合交換の直接観測
- 29pPSB-53 金属吸着Ge(111)表面の電子状態(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aTE-5 Bi/Ge(111)表面の構造と電子状態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aRD-7 単分子水和反応の制御と可視化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Tl吸着Ge(111)表面のラシュバ効果
- 22pPSB-13 Cu(110)におけるアセチレンの環化反応(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-3 Bi/Ge(111)-(√×√)R30°表面の電子状態とRashba効果(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aXB-3 単分子異性化反応のトンネルダイナミクス(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Cu(110)表面における水単分子の移動と反応
- 結晶表面におけるパイエルス転移
- 24aRJ-2 表面吸着系における巨大Rashba効果(24aRJ 領域9,領域3合同シンポジウム 反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域3(磁性,磁気共鳴))
- パラジウムによる水素吸収と水素化反応
- Pd表面における水素の吸収・放出過程
- リアルタイム光電子分光による極薄チタニウム酸化膜形成過程の「その場」観察 (特集/放射光利用とナノテクノロジー)
- 23aRJ-6 水ダイマーにおける水素結合交換の観測(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 放射光光電子分光による重水素イオン注入V_Cr_Ti_表面の熱変性分析
- TiAl表面酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究
- 24aPS-108 一次元水素結合系における多重プロトン移動の実空間観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-67 PbBi共吸着Ge(111)表面の原子構造(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTE-12 表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pTD-3 Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態2(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-94 Ge(111)表面上のBi薄膜の成長と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25aWX-8 PbBi共吸着Ge(111)表面のスピン偏極した金属的ショックレー状態(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-44 Br/Ge(111)表面のShockley状態とスピン軌道相互作用(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-99 Tl/Ge(111)-(3×1)構造とステップ誘起局所構造のSTM観察(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ビーム応用
- 21aXJ-5 Cu(110)表面における水単分子の移動と反応(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aTG-2 Cu(110)に吸着したアセチレン単分子の研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 放射光リアルタイム光電子分光を用いた酸素ガスによる Si(OO1)表面の熱酸化初期過程の"その場"観察
- Cu(110)表面上に形成された水一次元鎖のSTM観察
- 21pXF-4 Cu(110)表面上に形成された水一次元鎖のSTM観察(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pXJ-2 SPELEEM装置を用いたIn(Sn)/Cu(001)表面における相転移の実空間観察(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRJ-2 表面吸着系における巨大Rashba効果(反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域9,領域3合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-26 Ga/Cu(001)-p(5×1)表面の構造及びc(10×2)への相転移(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-30 Si(111)-(7×7)表面におけるアセトアルデヒドとフェノールの吸着状態(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- TiAl表面酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究
- サマリー・アブストラクト
- 25pTG-9 PbBi共吸着Ge(111)表面の原子構造II(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-8 Ge(111)の表面吸着種に誘起されたGe由来のスピン偏極した表面電子状態(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 高分解能放射光を用いたその場光電子分光法でみるSi(001)表面の酸化反応ダイナミクス
- 超音速O_2分子ビームで誘起されるSi(001)室温酸化の反応ダイナミクス
- O_2分子のSi(001)表面への初期吸着とSiO脱離に及ぼす運動エネルギーの影響
- 超音速O_2分子線を用いたSi(001)表面の初期酸化過程 : 清浄表面と部分酸化表面での酸化反応機構の相違点
- 酸素分子の並進運動エネルギーで誘起されるSi(001)表面酸化状態の放射光光電子分光法によるリアルタイム観察
- 酸素分子の運動エネルギーによって誘起されるSi(001)初期酸化過程の高分解能光電子分光解析
- 部分酸化Si(001)表面のO_2並進運動エネルギー誘起酸化とその場放射光光電子分光観察
- 酸素分子の並進運動エネルギー誘起Si(001)表面初期酸化過程の放射光光電子分光法による"その場"観察
- 26aTH-10 Br終端Ge(111)基板のsubsurface領域に局在するスピン偏極電子状態(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pTH-3 Cu(110)におけるNOの吸着構造と電子状態(28pTH 表面界面構造(金属),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 放射光X線光電子分光を用いた超熱酸素分子線に誘起されるNiTi表面酸化過程の解明
- 23aHA-10 Br/Ge(111)-(1×1)表面subsurface領域に局在した電子状態のスピン分解光電子分光(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aJB-3 Cu(110)に吸着したNOの電子状態の制御(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 放射光リアルタイムXPSで観たSi(111)-7×7の室温酸化における初期酸化物とその生成過程
- 放射光リアルタイムXPSで観たSi(111)-7×7の室温酸化における初期酸化物とその生成過程
- 結晶表面における電荷密度波相転移 (特集 X線回折/散乱による表面界面の解析)
- リアルタイム光電子分光によるグラフェン・オン・ダイヤモンド形成過程の観察
- NOの不対電子はCu表面上で生き残るか?
- Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定
- 6aSP-4 放射光光電子分光とRHEED-AESによるTi(0001)単結晶表面酸化過程の「その場」観察(表面界面ダイナミクス,領域9)
- Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)