Si(001)表面における酸化膜形成とSiO脱離の共存機構
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Oxidation reactions at Si(001) surfaces have been studied via real-time in-situ photoemission spectroscopy for chemical bonding states of Si and O atoms, and mass spectrometry for desorbing SiO molecules with synchrotron radiation and supersonic O2 molecular beams in the temperature range from 900 K to 1300 K. In our previous studies, the SiO desorption yield decreased with increasing incident energy in the temperature range from 900 K to 1000 K,. In that case, the time evolutions of Si 2p photoemission spectra showed that SiO2 structure on the surface was easily formed by the action of larger incident energy and the increased SiO2 coverage correlated with the decreased SiO desorption yield. In this study, coincidence measurements of Si 2p photoemission spectra and SiO desorption yield revealed that the decrease of SiO correlated with the increase of Si2+ component, and the SiO desorption was terminated at the oxide thickness of 0.22 nm. These facts indicate that the SiO desorption takes place at the topmost Si dimmers and its precursor is so called T site, in which O atoms are bonding with the dangling bonds of the dimmers. Consequently, M1 and M2 in the Dual-Oxide-Species (DOS) model were clarified to be T sites and Si2+ states, respectively.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2007-02-01
著者
-
盛谷 浩右
兵庫県立大学大学院工学研究科機械系工学専攻
-
盛谷 浩右
兵庫県立大学大学院工学研究科 機械系工学専攻機械知能部門
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
寺岡 有殿
(独)日本原子力研究開発機構
-
寺岡 有殿
原研
-
吉越 章隆
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
盛谷 浩右
大阪大学大学院理学研究科化学専攻
-
吉越 章隆
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
吉越 章隆
原研 放射光科学研セ
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構
-
盛谷 浩右
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
関連論文
- 24pPSA-47 金属表面の水素分子吸着脱離過程におけるホットアトム機構の関与
- 24aPS-48 Ir(001)表面上への水素吸着(II)
- 29a-PS-47 Ir(001)表面上への水素吸着(I)
- 超音速酸素分子ビームによる並進運動エネルギー誘起Ti(0001)表面酸化反応
- 超音速窒素分子ビームを用いたTi(0001)表面窒化反応のリアルタイム光電子分光観察
- 高輝度・高分解能放射光で見えてきた表面化学反応ダイナミクス : 超音速O_2分子線で誘起される表面酸化反応のその場光電子分光
- リアルタイム光電子分光によるTi(0001)表面酸化反応の観察
- 15aPS-23 極薄 Ti 酸化膜の分解過程のリアルタイム光電子分光観察(領域 9)
- Ti(0001)表面酸化における極薄酸化膜成長と酸化状態
- 22aYE-9 Ti(0001) 表面酸化における極薄酸化膜形成過程のリアルタイム計測
- 19pPSB-46 Ir{111}表面における金薄膜の形成と水素吸着
- リアルタイム光電子分光によるTi(0001)表面酸化反応の「その場」観察
- 22pPSB-12 高分解能XPSおよび超音速分子線法による4H-SiC(0001)表面の酸化過程の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-48 超音速分子線によるRu(0001)表面上の酸素吸着の研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- シリコンと酸素の表面反応における運動エネルギーの影響
- シリコン表面の初期酸化における酸素分子線の運動エネルギー効果
- 放射光リアルタイム光電子分光で観たSi(111)表面の酸化過程
- Al(111)表面における超音速N_2ビームによる極薄AlN膜形成
- Cu_3Au表面自然酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究
- Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si(001)表面における酸化膜形成とSiO脱離の共存機構
- 室温における酸素分子のSi(111)-7×7表面での初期吸着ダイナミクス
- Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い : リアルタイム光電子分光測定から(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 27pXJ-15 Real-Time Synchrotron XPS and Nuclear Reaction Analysis Study on Growth Acceleration of Ultra-thin Alumina Films by Water Oxidation of NiAl
- N^+ビーム照射で形成したSi酸窒化膜における窒素化学結合状態の放射光X線光電子分光測定
- 15aPS-26 SiO 質量分析と Si-2p 光電子分光の同時計測による Si(001) 表面における SiO 脱離と酸化膜形成の反応ダイナミクス(領域 9)
- 15aPS-22 銅表面における酸素吸着反応ダイナミクス(領域 9)
- 超音速酸素分子線を用いたSi(001)表面の高温酸化過程における化学反応ダイナミクス
- 量子ビームによるナノバイオ科学と基盤技術 : 特集号によせて
- 高速原子・分子ビームで誘起される表面ナノプロセス
- 28aYH-10 アルゴンクラスターとグラフェンの衝突シミュレーション(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 超熱酸素分子線による銅ならびに銅金合金表面の酸化反応研究
- 超高真空対応型配向分子線ビームラインの開発
- 28pPSB-42 表面反応ダイナミクス研究のための超高真空対応配向分子ビーム装置の開発 (1)
- リアルタイム光電子分光による極薄チタニウム酸化膜形成過程の「その場」観察 (特集/放射光利用とナノテクノロジー)
- 放射光光電子分光による重水素イオン注入V_Cr_Ti_表面の熱変性分析
- 放射光光電子分光法によるSiO_2薄膜の有効減衰長の実験的決定
- TiAl表面酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究
- 25aZB-11 アルゴンガスクラスタービームによるナノ粒子層のスパッタリングに関する分子動力学シミュレーション(放射線物理(クラスター・2次粒子放出),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- ビーム応用
- 放射光リアルタイム光電子分光を用いた酸素ガスによる Si(OO1)表面の熱酸化初期過程の"その場"観察
- ガスクラスターSIMSによるタンパク質分子の計測
- サイズ選別型ガスクラスターSIMSの開発
- 22aZF-9 アルゴンクラスタービームのエネルギー損失に関する分子動力学シミュレーション(22aZF 放射線物理(クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- TiAl表面酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究
- 高分解能放射光を用いたその場光電子分光法でみるSi(001)表面の酸化反応ダイナミクス
- 超音速O_2分子ビームで誘起されるSi(001)室温酸化の反応ダイナミクス
- O_2分子のSi(001)表面への初期吸着とSiO脱離に及ぼす運動エネルギーの影響
- 超音速O_2分子線を用いたSi(001)表面の初期酸化過程 : 清浄表面と部分酸化表面での酸化反応機構の相違点
- 酸素分子の並進運動エネルギーで誘起されるSi(001)表面酸化状態の放射光光電子分光法によるリアルタイム観察
- 酸素分子の運動エネルギーによって誘起されるSi(001)初期酸化過程の高分解能光電子分光解析
- 部分酸化Si(001)表面のO_2並進運動エネルギー誘起酸化とその場放射光光電子分光観察
- 酸素分子の並進運動エネルギー誘起Si(001)表面初期酸化過程の放射光光電子分光法による"その場"観察
- 放射光X線光電子分光を用いた超熱酸素分子線に誘起されるNiTi表面酸化過程の解明
- Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 放射光リアルタイムXPSで観たSi(111)-7×7の室温酸化における初期酸化物とその生成過程
- 放射光リアルタイムXPSで観たSi(111)-7×7の室温酸化における初期酸化物とその生成過程
- ガラスキャピラリーを用いたアルゴンクラスターイオンビームの集束
- リアルタイム光電子分光によるグラフェン・オン・ダイヤモンド形成過程の観察
- Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定
- 6aSP-4 放射光光電子分光とRHEED-AESによるTi(0001)単結晶表面酸化過程の「その場」観察(表面界面ダイナミクス,領域9)
- 6aSP-1 超音速酸素分子ビームによるCu{001}表面の酸化過程の光電子分光研究(表面界面ダイナミクス,領域9)
- 8aSP-1 O2分子の運動エネルギー誘起されるSi(001)表面の酸化反応素過程(表面界面ダイナミクス,領域9)
- Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)