酸素分子の並進運動エネルギー誘起Si(001)表面初期酸化過程の放射光光電子分光法による"その場"観察
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概要
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The effects of translational kinetic energy of incident O<SUB>2</SUB> molecules for intial Si(001) oxidation at room temperature have been investigated by using a supersonic molecular beam technique and photoemission spectroscopy. The oxygen saturation coverage on Si(001) surface increased with increasing the translational kinetic energy of O<SUB>2</SUB>. Two threshold energies, corresponding to the Si dimer backbond oxidation and the second layer (sub-surface) Si atoms backbond oxidation were observed at 1.0 eV and 2.6 eV, respectively. We clarified the relationship between the Si oxidation structure (Si<SUP>x+</SUP> ; x=1, 2, 3, 4) in Si-2<I>p</I> photoemission spectra and the translational kinetic energy of O<SUB>2</SUB> in the initial Si (001) oxidation.
- 日本真空協会の論文
- 2001-03-20
著者
-
吉越 章隆
日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
吉越 章隆
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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吉越 章隆
原研 放射光科学研セ
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寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構
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寺岡 有殿
日本原子力研究所放射光科学研究センター
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