Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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Si(110)表面の熱酸化膜形成過程およびその界面結合状態をリアルタイム放射光光電子分光により調べた.その結果,酸化開始直後から1原子層(ML)酸化膜形成にいたるまで,Si(110)面の酸化では一貫してSi^<3+>成分が多いことが分かった.また,597℃酸化ではラングミュア型であったO 1sスペクトルの面積強度の時間発展が,酸化温度647℃では2次元島状成長に対応するシグモイド型の曲線となり,Si(001)面酸化で見出された自己触媒反応モデルがSi(110)面酸化にも適用可能であることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-02
著者
-
齋藤 英司
東北大学電気通信研究所
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
松本 光正
東北大学電気通信研究所
-
吉越 章隆
日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
寺岡 有殿
原研
-
山本 喜久
スタンフォード大学ギンズトン研究所
-
今野 篤史
東北大学
-
山本 喜久
東北大学電気通信研究所
-
富樫 秀晃
東北大学電気通信研究所
-
今野 篤史
東北大学電気通信研究所
-
加藤 篤
東北大学電気通信研究所
-
吉越 章隆
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
山本 喜久
NTT基礎研
-
末光 眞希
東北大通研
-
吉越 章隆
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
吉越 章隆
原研 放射光科学研セ
-
末光 真希
東北大学電気通信研究所
-
山本 喜久
NTT電気通信研究所
-
山本 喜久
国立情報学研究所:スタンフォード大学
-
山本 喜久
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所:スタンフォード大学 ギンツトン研究所
-
山本 喜久
スタンフォード大:nii
-
山本 喜久
スタンフォード大学 国際共同研究量子もつれプロジェクト
-
山本 喜久
E.l. Ginzton Laboratory Stanford University
-
山本 喜久
国立情報学研究所情報学プリンシプル研究系
-
山本 喜久
国立情報学研究所:スタンフォード大学:東京大学
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構
-
山本 喜久
国立情報学研究所量子情報国際研究センター:スタンフォード大学ギンツトン研究所
-
寺岡 有殿
日本原子力研究所放射光科学研究センター
-
寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
-
吉越 章隆
日本原子力研究所
-
寺岡 有殿
日本原子力研究所
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