赤外干渉法によるSi基板上3C-SiC薄膜形成のリアルタイムモニタリング(TFT(有機,酸化物),一般)
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概要
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モノメチルシランを用いたSi基板上3C-SiC成長中に単色温度計の温度表示が振動する"温度振動"を観測した.この振動は薄膜表面と薄膜/基板界面での赤外干渉によって生じ,振動の一周期分の成長膜厚はλ/2nに一致する.ここで,λは単色温度計で検出される赤外光の波長,nは成長膜の屈折率である.また,振動の減衰は成長膜の表面粗さ発展によって生じる.この赤外干渉法はSi基板上3C-SiC成長のリアルタイムモニタリング法として大変有効である.
- 2009-04-16
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