パルス電界常圧プラズマ化学気相成長法によるSi薄膜堆積
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概要
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Low-cost fabrication of poly-Si TFT at low temperature is a key for the realization of flexible displays. By using pulsed-plasma CVD under near-atmospheric pressures, we have successfully obtained poly-Si films on polyethylene terephthalate substrates at a low temperature of 150°C. Judging from the dominance of the crystalline peak found in Raman scattering spectra as well as the absence of the incubation layer at the film/substrate interface observed in transmission electron micrographs, it is suggested that the quality of our poly-Si films is quite high. With its cost-effective and low-temperature-grown features, our high quality poly-Si produced in the pulsed-plasma CVD is expected to contribute greatly to the commercialization of flexible displays.
- 日本真空協会の論文
- 2008-10-20
著者
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
松本 光正
東北大学電気通信研究所
-
豊島 安健
産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門
-
末光 眞希
東北大通研
-
中嶋 節男
積水化学工業株式会社
-
豊島 安健
独立行政法人産業総合研究所エネルギー研究技術研究部門
-
末光 真希
東北大学電気通信研究所
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