Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Si基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその電子デバイス応用について研究状況を紹介する.グラフェンの形成技術としては,グラファイト片からのピーリングとエピタキシャル成長したSiCの表面改質が一般的であるが,ポストCMOS新材料としての適用を考慮すると,Si基板の導入と半導体集積加工に耐える量産性に優れた低温成長技術が不可欠である.その要求に応えるために,有機シランガスソースMBEによるSi基板上への3C-SiCエピ成長と表面改質によるグラフェン・オン・シリコン(GOS)成長技術を開発した.本GOS材料を用いて,グラフェンをチャネルとするトランジスタ動作の観測に成功した.グラフェン成長層数の制御や膜平坦性など,GOSプロセス技術の改善・発展,オーミック電極形成,閾値制御,不純物注入制御など,今後解決すべき課題は多い.グラフェンの特異な電子輸送特性は,FET応用以外にも,プラズモニックデバイス,テラヘルツレーザーなど,多様な電子デバイスへの活用が期待される.ここではそれらの一端も併せて紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-02-19
著者
-
佐野 栄一
北海道大学大学院情報科学研究科
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所
-
半田 浩之
東北大学電気通信研究所
-
宮本 優
東北大学電気通信研究所
-
尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所:jst-crest
-
尾辻 泰一
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
末光 眞希
東北大通研
-
唐澤 宏美
東北大学電気通信研究所
-
末光 哲也
東北大学電気通信研究所
-
リズィー マキシム
会津大学コンピュータ理工学部
-
Ryzhii Maxim
会津大 コンピュータ理工
-
ルリズィー ヴィクトー
会津大学コンピュータ理工学部
-
Ryzhii Victor
会津大 コンピュータ理工
-
尾辻 泰一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
リズィー ヴィクトール
会津大学コンピュータ物性学講座
-
姜 顯〓
東北大学電気通信研究所
-
リズィー マキシム
会津大学コンピュータ物性学講座
-
末光 真希
東北大学電気通信研究所
-
Ryzhii Victor
会津大学コンピュータ理工学研究科:jst-crest
-
佐野 栄一
Jst‐crest
-
尾辻 康一
九州工大
-
Kang Hyon‐choru
東北大電気通信研究所
-
佐野 栄一
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
リズィー ヴィクトール
会津大学大学院コンピュータ理工学研究科:jst-crest
関連論文
- プラズモン共鳴テラヘルツエミッター光パルス応答のモンテカルロ解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- インターリーブを用いたシングルスロープAD変換器用高速ランプ波形発生器 (情報センシング)
- TDCを用いたイメージセンサ用多段ADCのメタステーブル特性(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- ミリ波HEMT MMICとメタマテリアルの集積化(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- インターリーブを用いたシングルスロープAD変換器用高速ランプ波形発生器(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- C-10-5 プラズモン共鳴型エミッタにおける光励起テラヘルツ波放射(C-10.電子デバイス,一般講演)
- CS-11-7 2次元プラズモン共鳴効果によるテラヘルツ波発生(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
- 縦型共振器構造を有するInGaP/InGaAs/GaAsプラズモン共鳴フォトミキサーにおける室温テラヘルツ帯電磁波放射(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出,AWAD2006)
- InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-11 カーボンナノチューブ分散紙の伝導機構(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-10 単層カーボンナノチューブネットワークの電気伝導特性の評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- A-1-13 TDC付きシングルスロープADCの特性解析(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-6 人工誘電体を用いたSiオンチップアンテナの高利得化(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-8 HEMT光パルス応答のモンテカルロ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出
- C-10-13 グラフェンFETを用いたディジタル回路の性能予測(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 金属薄膜による表面周期構造を利用したTHz波フィルタ(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- テラヘルツ領域用低損失コプレーナ導波路とそのEBGフィルタへの応用(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- TDCを用いたイメージセンサ用多段ADCのメタステーブル特性(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- C-2-19 ドレイン接地フィードバックを用いたUWB用低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-11 カーボンナノチューブ分散ゴムの電磁波シールド特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-18 広帯域直交ミキサにおける共振インダクタQ値の影響(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-3 MB-OFDM用広帯域直交ミキサの検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 0.1μmゲートInP HEMTによるミリ波アクティブ集積アンテナ発振回路(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-12 0.1μmゲートInP系HEMTによる111GHzアクティブ集積アンテナ(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-6 カーボンナノチューブ分散紙の電磁波シールド特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-7 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-6 グラフェンネットワークの電気伝導特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-5 カーボンナノチューブ分散紙の低周波雑音(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- CNT分散紙の電気的特性(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
- CNT分散紙の電気的特性(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
- A-1-25 複数位相クロックを用いたCMOSイメージセンサ用AD変換器(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
- A-1-14 周期比較方式PLL発振周波数特性における雑音影響の評価(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-29 マイクロ波帯シリコンオンチップアンテナ(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-2-35 CMOS低雑音増幅器付きモノリシック逆Fアンテナ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-10-10 両極性電界効果トランジスタを用いた論理回路の解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-7 新構造InGaP/InGaAs/GaAsプラズモン共鳴型フォトミキサーによる室温テラヘルツ電磁波放射(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-2-21 オンチップアンテナの特性に即した低雑音増幅器の広帯域化の検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- A-1-16 擬似差動型LNAによるノイズのコモンモード化の検討(A-1.回路とシステム,一般講演)
- C-12-56 人工誘電体を用いたSiオンチップアンテナの設計(オンチップ・インターフェイス,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-27 人工誘電体シールドの特性評価(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-7 プラズモン共鳴型フォトミキサーのテラヘルツ帯周波数逓倍器としての可能性(C-10.電子デバイス,一般講演)
- A-1-29 低電力ウェイクアップ受信機のためのPWM復調回路(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- 2次元プラズモン共鳴型フォトミキサーのテラヘルツ帯電界放射特性の解析(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 2次元プラズモン共鳴型フォトミキサーのテラヘルツ帯電界放射特性の解析
- C-2-51 InP基板上に構成したW帯CRLH伝送線路の設計と評価(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 光領域におけるSmith-Purcell放射の解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- B-1-99 周波数選択性高インピーダンス面によるUWBアンテナの特性変化(II)(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- B-1-153 周波数選択性高インピーダンス面によるUWBアンテナの特性変化(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- C-10-9 W帯ギルバートセルミクサ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- B-1-60 広帯域アンテナへの周波数選択高インピーダンス面パッチサイズの影響(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- C-10-6 高インピーダンス反射板を有するInP基板上ミリ波平面アンテナの設計(C-10.電子デバイス,一般講演)
- B-1-59 広帯域アンテナの特性への周波数選択高インピーダンス面の影響(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
- C-2-101 人工磁気導体の共振周波数のサイズ依存性(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- コプレーナ伝送線路を用いたサブテラヘルツ1次元周期構造の評価(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- コプレーナ伝送線路を用いたサブテラヘルツ1次元周期構造の評価
- A-1-50 ディレイライン上で記憶保持を行うTime-to-Digital Converterの高性能化(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-47 周期比較方式PLLにおける発振器雑音の影響(C-12.集積回路,一般セッション)
- 高精度周期比較器を用いたループ特性に依存しないデジタル制御PLLの検討と試作(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 高精度周期比較器を用いたループ特性に依存しないデジタル制御PLLの検討と試作(ワイヤレスとワイヤライン,アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- C-11-6 グラフェン-チャネルFETを用いた論理回路の解析(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- 位相変動方向検出回路による周期比較方式PLLの高精度化
- C-12-12 全ディジタルPLLにおける高精度周期比較器の導入(C-12. 集積回路BC(クロック・発振器),一般セッション)
- A-1-40 ディジタル制御PLLにおける線形特性DCO(A-1.回路とシステム,一般講演)
- 周期比較器を用いたディジタル制御PLL(アナログ回路技術ショートノート-アナログ回路技術の創造と伝承を目指して-)
- 非線形線路を用いた新しい全電気極短パルス生成法の提案(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- A-1-4 Delay-Line上で記憶保持を行うTime-to-Digital Converterの提案(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
- C-12-9 人工誘電体を用いた高利得シリコン基板上アンテナ(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-1 カーボンナノチューブにおける一次元伝導の観測(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- A-1-34 位相変動方向検出回路による周期比較方式PLL(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-32 カスコード構造による低電力CMOS論理回路(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-2-32 マルチバンド無線通信用インダクタレス低雑音増幅器の設計(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CNT分散紙の電気的特性
- 位相変動方向検出回路による周期比較方式PLLの高精度化
- 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-3 カーボンナノチューブ分散セラミックの電気的特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-4 カーボンナノチューブにおける一次元伝導の評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- A-1-24 能動インダクタ負荷によるIF増幅器付き電流駆動型受動ミキサ(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- A-1-37 TDC付きシングルスロープ用AD変換器用メタステーブル抑制回路(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-47 スタック構造による低電力CMOS論理回路(センサ、電源回路、デジタル,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-15 ウェイクアップ受信器のための低消費電力検波器・高利得増幅器(低電力回路技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-2 アンビポーラFETを用いた発振回路(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-20 10.3GHz Quadrature電圧制御発振器の検討(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-1 MOSFETスイッチによる対称型可変インダクタの試作(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-10-16 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-12-67 DCオフセット除去機能を持つダイレクトコンバージョンミキサ(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-40 低電力ウェイクアップ受信器のためのPWM復調回路 : 試作と測定(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-30 スタック構造によるCMOS論理回路の低電力化(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-14 rGOネットワークの電気的特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-13 カーボンナノチューブネットワークの低抵抗化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-12 CNT添加カーボンファイバの電気的特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- A-1-2 低消費電力TDC付きマルチスロープAD変換器(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単層カーボンナノチューブネットワークにおける一次元伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単層カーボンナノチューブネットワークにおける一次元伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- プラズモン共鳴テラヘルツ光源デバイス--半導体ヘテロ接合構造による新原理フォトミキサーデバイスの実現 (特集:プラズモニクスとその応用)