佐野 栄一 | Jst‐crest
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概要
関連著者
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佐野 栄一
Jst‐crest
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佐野 栄一
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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佐野 栄一
北海道大学大学院情報科学研究科
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佐野 栄一
Ntt光ネットワークシステム研究所
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池辺 将之
北海道大学 大学院 情報科学研究科
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佐野 栄一
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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本久 順一
北海道大学 大学院 情報科学研究科
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佐野 栄一
Ntt
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佐野 栄一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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田中 朋
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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田中 朋
量子集積エレクトロニクス研究センター
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井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
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井田 実
日本電信電話
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田中 朋
北海道大学大学院情報科学研究科
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石井 清
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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栗島 賢二
日本電信電話
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古月 文志
北大 大学院地球環境科学研究院
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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野坂 秀之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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雨宮 好仁
北海道大学 大学院 情報科学研究科
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野坂 秀之
Nttワイヤレスシステム研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所
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尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所:jst-crest
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尾辻 泰一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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野坂 秀之
日本電信電話株式会社
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尾辻 康一
九州工大
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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野坂 秀之
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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古月 文志
北海道大学大学院地球環境科学研究院環境物質科学専攻
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雨宮 好仁
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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高萩 和宏
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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尾辻 泰一
東北大 電通研
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古月 文志
北海道大学 大学院地球環境科学研究院
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渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡邊 則之
Nttフォトニクス研究所
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池辺 将之
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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尾辻 泰一
Ntt光ネットワークシステム研究所
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牧原 幸伸
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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池辺 将之
北海道大学情報科学研究科
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牧原 幸伸
北海道大学大学院情報科学研究科
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森 健一郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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牧原 幸伸
北海道大学 大学院情報科学研究科
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牧原 幸伸
北海道大学
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中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
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ルリズィー ヴィクトー
会津大学コンピュータ理工学部
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Ryzhii Victor
会津大 コンピュータ理工
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Ryzhii Victor
会津大学コンピュータ理工学研究科:jst-crest
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干 洪文
北海道大学大学院環境科学研究院
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本久 順一
北海道大学大学院情報科学研究科
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本久 順一
北大情エレ
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リズィー ヴィクトール
会津大学大学院コンピュータ理工学研究科:jst-crest
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柴田 随道
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
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柴田 随道
NTTフォトニクス研究所
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尾辻 泰一
東北大学 電気通信研究所
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柴田 随道
日本電信電話株式会社
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柴田 随道
日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所
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菅原 裕彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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佐野 栄一
Ntt Lsi研究所
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村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
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今井 将徳
特種製紙株式会社
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秋山 宏介
特殊製紙株式会社
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今井 将徳
特殊製紙株式会社
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菅原 裕彦
NTTアドバンステクノロジ(株)
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高塚 裕也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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古月 文志
北海道大学地球環境科学研究院
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久保 圭史
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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今井 将徳
特種製紙株式会社総合技術研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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申 武雄
北海道大学大学院情報科学研究科
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山幡 章司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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木村 俊二
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
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米山 幹夫
Ntt光ネットワークシステム研究所
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近藤 亮
北海道大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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山幡 章司
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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富山 裕之
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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木村 俊二
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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木村 俊二
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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近藤 亮
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
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山根 康朗
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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松岡 渉
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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米山 幹夫
Ntt Lsi研究所
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松岡 裕
アンリツ株式会社
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松下 拓道
北海道大学情報科学研究科
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秋山 宏介
特種製紙株式会社
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リズィー ヴィクトール
会津大学大学院コンピュータ理工学研究科
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社
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松下 拓道
北海道大学大学院情報科学研究科
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綿貫 雄仁
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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雨宮 好仁
北海道大学情報科学研究科
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メチアニ ヤーヤ・ムバラク
東北大学電気通信研究所
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半田 浩之
東北大学電気通信研究所
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宮本 優
東北大学電気通信研究所
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末光 眞希
東北大通研
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大野 正輝
北海道大学大学院情報科学研究科
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窪田 健太郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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大野 正輝
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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唐澤 宏美
東北大学電気通信研究所
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末光 哲也
東北大学電気通信研究所
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松岡 裕
Nttフォトニクス研究所
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山幡 章司
Nttエレクトロニクス株式会社
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高田 裕介
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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リズィー マキシム
会津大学コンピュータ理工学部
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Ryzhii Maxim
会津大 コンピュータ理工
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村田 浩一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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リズィー ヴィクトール
会津大学コンピュータ物性学講座
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山幡 章司
NTT LSI研究所
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姜 顯〓
東北大学電気通信研究所
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リズィー マキシム
会津大学コンピュータ物性学講座
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
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松岡 裕
NTT LSI研究所
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山本 拓良
北海道大学大学院 情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻
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Kang Hyon‐choru
東北大電気通信研究所
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Yu Hongwen
北海道大学地球環境科学研究院
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金 基秀
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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田中 遥
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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森 健一郎
量子集積エレクトロニクス研究センター
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佐野 栄一
量子集積エレクトロニクス研究センター
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古月 文志
北海度大学大学院地球環境科学院
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Yu Hongwen
北海度大学大学院地球環境科学院
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RYZHII Victor
会津大学大学院コンピュータ理工学研究科
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村田 浩一
神戸市立王子動物園
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高橋 亮
Ntt光エレクトロニクス研究所
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綱島 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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松岡 裕
NTT光エレクトロニクス研究所
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永妻 忠夫
NTT通信エネルギー研究所
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西村 浩之
(株)イノアックコーポレーション PU技術センター
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榎木 孝知
Ntt Lsi研究所
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佐野 栄一
(現)北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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栗島 賢二
ATR
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栗島 賢二
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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メチアニ ヤーヤ
東北大学電気通信研究所
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中島 裕樹
Ntt Lsi研究所
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牧原 幸信
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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永妻 忠夫
NTT LSI研究所
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西村 浩之
(株)イノアック技術研究所
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井田 実
NTTフォトニクス研究所
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柏木 猛
(株)イノアック技術研究所
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中根 和靖
(株)イノアック技術研究所
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矢板 信
NTT LSI研究所
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矢板 信
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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佐野 栄一
NTT未来ねっと研究所
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山幡 章司
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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中島 裕樹
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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柴田 随遭
NTT LSI研究所
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河村 裕一
NTTエレクトロニクス研究所
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高橋 亮
NTTエレクトロニクス研究所
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秋山 宏介
特殊東海製紙株式会社
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今井 将徳
特殊東海製紙株式会社
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綱島 聡
NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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高荻 和宏
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hongwen Yu
北海道大学地球環境科学研究院
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干 洪文
北海道大学地球環境科学研究院
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秋山 宏介
特種製紙株式会社総合技術研究所
-
内田 貴光
瀬戸窯業技術センター
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于 洪文
北海道大学大学院環境科学研究院
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綱島 聡
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
-
池辺 将之
北海道大学大学院情報科学研究
-
和田 敏輝
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
雨宮 好仁
北海道大学大学院情報科学研究
-
大津 雄太郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
著作論文
- プラズモン共鳴テラヘルツエミッター光パルス応答のモンテカルロ解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- TDCを用いたイメージセンサ用多段ADCのメタステーブル特性(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- インターリーブを用いたシングルスロープAD変換器用高速ランプ波形発生器(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- C-10-4 ロック検出機能付き 39-45Gbit/s CDR 回路
- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-10-8 InP HBT による 43Gbit/s CDR IC
- SC-7-6 InP HBTによる40Gbit/s CDR IC
- SC-7-5 InP/InGaAs HBT技術を用いた高感度・低消費電力43Gbit/s識別回路
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1:16DEMUXおよびCDR/1:4DEMUX
- InP/InGaAs HBTを用いた低消費電力1 : 16 DEMUXおよびCDR/1 : 4 DEMUX
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-11 カーボンナノチューブ分散紙の伝導機構(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-10 単層カーボンナノチューブネットワークの電気伝導特性の評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- A-1-13 TDC付きシングルスロープADCの特性解析(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-6 人工誘電体を用いたSiオンチップアンテナの高利得化(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-8 HEMT光パルス応答のモンテカルロ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-13 グラフェンFETを用いたディジタル回路の性能予測(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- SC-7-9 InP/InGaAs HBTを用いた90GHzダイナミック分周器
- C-2-19 ドレイン接地フィードバックを用いたUWB用低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-11 カーボンナノチューブ分散ゴムの電磁波シールド特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-18 広帯域直交ミキサにおける共振インダクタQ値の影響(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-3 MB-OFDM用広帯域直交ミキサの検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
- C-10-6 カーボンナノチューブ分散紙の電磁波シールド特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 低温成長InGaAs/InAlAs MQW MSM-PDにより構成された差動型フォトコンダクティブ・アンドゲート
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-7 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-6 グラフェンネットワークの電気伝導特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-5 カーボンナノチューブ分散紙の低周波雑音(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- CNT分散紙の電気的特性(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
- CNT分散紙の電気的特性(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
- A-1-25 複数位相クロックを用いたCMOSイメージセンサ用AD変換器(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
- A-1-14 周期比較方式PLL発振周波数特性における雑音影響の評価(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- InP/InGaAs DHBTを用いた超高速受光OEIC
- ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタによりモノリシックに集積されたpin-PD/識別回路
- InP/InGaAs HBTプロセスに完全整合した集積化受光回路
- C-10-10 両極性電界効果トランジスタを用いた論理回路の解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-21 オンチップアンテナの特性に即した低雑音増幅器の広帯域化の検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- InP/InGaAsダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いた超高速、低電力光通信用IC(招待講演)
- C-12-56 人工誘電体を用いたSiオンチップアンテナの設計(オンチップ・インターフェイス,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-27 人工誘電体シールドの特性評価(C-12.集積回路,一般セッション)
- 超40Gb/s ICモジュール用実装プラットフォームの検討
- 超40Gb/s IC用表面実装技術の開発
- 超40Gb/s IC用表面実装技術の開発
- 超40Gb/s IC用表面実装技術の開発
- A-1-29 低電力ウェイクアップ受信機のためのPWM復調回路(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- A-1-50 ディレイライン上で記憶保持を行うTime-to-Digital Converterの高性能化(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-47 周期比較方式PLLにおける発振器雑音の影響(C-12.集積回路,一般セッション)
- 高精度周期比較器を用いたループ特性に依存しないデジタル制御PLLの検討と試作(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 高精度周期比較器を用いたループ特性に依存しないデジタル制御PLLの検討と試作(ワイヤレスとワイヤライン,アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- C-11-6 グラフェン-チャネルFETを用いた論理回路の解析(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- A-1-4 Delay-Line上で記憶保持を行うTime-to-Digital Converterの提案(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
- C-12-9 人工誘電体を用いた高利得シリコン基板上アンテナ(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-1 カーボンナノチューブにおける一次元伝導の観測(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- A-1-34 位相変動方向検出回路による周期比較方式PLL(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-32 カスコード構造による低電力CMOS論理回路(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-2-32 マルチバンド無線通信用インダクタレス低雑音増幅器の設計(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 位相変動方向検出回路による周期比較方式PLLの高精度化
- 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-3 カーボンナノチューブ分散セラミックの電気的特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-4 カーボンナノチューブにおける一次元伝導の評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- A-1-24 能動インダクタ負荷によるIF増幅器付き電流駆動型受動ミキサ(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- A-1-37 TDC付きシングルスロープ用AD変換器用メタステーブル抑制回路(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-47 スタック構造による低電力CMOS論理回路(センサ、電源回路、デジタル,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-15 ウェイクアップ受信器のための低消費電力検波器・高利得増幅器(低電力回路技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- 光通信技術の基礎 : 原点を見直し,将来を考える(第11回)高速電子回路
- C-10-2 アンビポーラFETを用いた発振回路(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-16 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-12-67 DCオフセット除去機能を持つダイレクトコンバージョンミキサ(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-40 低電力ウェイクアップ受信器のためのPWM復調回路 : 試作と測定(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-30 スタック構造によるCMOS論理回路の低電力化(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-14 rGOネットワークの電気的特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-13 カーボンナノチューブネットワークの低抵抗化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-12 CNT添加カーボンファイバの電気的特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- A-1-2 低消費電力TDC付きマルチスロープAD変換器(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単層カーボンナノチューブネットワークにおける一次元伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 単層カーボンナノチューブネットワークにおける一次元伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-12-9 60GHz帯ディテクタの設計・評価(ミリ波/テラヘルツIC(1),C-12. 集積回路,一般セッション)
- C-10-7 プレス加工カーボンナノチューブネットワークの低周波雑音(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-12-22 低電力PWMクロックデータ再生回路(アナログ回路枝術,C-12. 集積回路,一般セッション)
- C-2-46 左手系小型アンテナの設計と評価(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-10-6 カーボンファイバおよびCNT添加カーボンファイバの低周波雑音(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-8 多層グラフェンの導電率の温度依存性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)