尾辻 泰一 | 東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所
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尾辻 康一
九州工大
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尾辻 泰一
Ntt光ネットワークシステム研究所
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尾辻 泰一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所:jst-crest
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尾辻 泰一
東北大 電通研
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佐野 栄一
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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佐野 栄一
北海道大学大学院情報科学研究科
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尾辻 泰一
東北大学 電気通信研究所
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末光 哲也
東北大学電気通信研究所
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ルリズィー ヴィクトー
会津大学コンピュータ理工学部
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Ryzhii Victor
会津大 コンピュータ理工
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Ryzhii Victor
会津大学コンピュータ理工学研究科:jst-crest
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リズィー ヴィクトール
会津大学大学院コンピュータ理工学研究科:jst-crest
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佐野 栄一
Jst‐crest
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佐藤 昭
東北大学電気通信研究所
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佐藤 昭
東北大学電気通信研究所:jst-crect
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佐藤 昭
東北大学 電気通信研究所
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メチアニ ヤーヤ
東北大学電気通信研究所
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西村 拓也
東北大学電気通信研究所
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花辺 充広
東北大学電気通信研究所
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メチアニ ヤーヤ・ムバラク
東北大学電気通信研究所
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高塚 裕也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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佐野 栄一
Ntt光ネットワークシステム研究所
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末光 眞希
東北大通研
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高萩 和宏
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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渡辺 隆之
東北大学電気通信研究所
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リズィー マキシム
会津大学コンピュータ理工学部
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リズィー ヴィクトール
会津大学コンピュータ物性学講座
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リズィー マキシム
会津大学コンピュータ物性学講座
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POPOV Viacheslav
ロシア科学アカデミー無線電子工学研究所(サラトフ支部)
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志田 広海
東北大学電気通信研究所
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小林 健悟
東北大学電気通信研究所
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吉田 智洋
東北大学電気通信研究所
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堀池 恒平
東北大学電気通信研究所
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Ryzhii Maxim
会津大 コンピュータ理工
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
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RYZHII Victor
会津大学大学院コンピュータ理工学研究科
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浅野 種正
九州大学システム情報科学研究院
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浅野 種正
九工大マイクロ化センター
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半田 浩之
東北大学電気通信研究所
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唐澤 宏美
東北大学電気通信研究所
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小森 常義
東北大学電気通信研究所
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浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
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浅野 種正
九州工大
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松岡 渉
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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ミッティン ウラジミール
ニューヨーク州立大学バッファロー校電気工学科
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姜 顯〓
東北大学電気通信研究所
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Asano Tanemasa
Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology
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リズィー ヴィクトール
会津大学大学院コンピュータ理工学研究科
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佐藤 昭
会津大学コンピュータ物性学講座
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福田 俊介
東北大学
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馬籠 伸紘
東北大学電気通信研究所
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リズィー ヴィクトール
会津大学ナノエレクトロニクス講座
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Asano Tanemasa
Center For Microelectrortic Systems Kyushu Institute Of Technology
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佐野 栄一
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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鷹林 将
東北大電気通信研究所
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Kang Hyon‐choru
東北大電気通信研究所
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小川 修一
東北大学多元物質科学研究所
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高桑 雄二
東北大学多元物質科学研究所
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小川 修一
東北大学 多元物質科学研究所
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高桑 雄二
東北大学 多元物質科学研究所
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宮本 優
東北大学電気通信研究所
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窪田 健太郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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細野 洋平
東北大学電気通信研究所
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福田 俊介
東北大学電気通信研究所
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赤川 啓介
東北大学電気通信研究所
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松岡 隆志
東北大学金属材料研究所
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久保 真人
東北大学電気通信研究所
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津田 祐樹
東北大学電気通信研究所
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佐野 栄一
Ntt
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福嶋 哲也
東北大電気通信研究所
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佐野 栄一
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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鷹林 将
東北大学電気通信研究所
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楊 猛
東北大学多元物質科学研究所
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栗田 裕記
東北大学電気通信研究所
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片山 竜二
東北大学金属材料研究所
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伊藤 弘昌
東北大学 電気通信研究所
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金子 真也
東北大学電気通信研究所
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南出 泰亜
理研基幹研
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伊藤 弘昌
理研基幹研
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永妻 忠夫
大阪大学大学院 基礎工学研究科
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寶迫 巌
(独)情報通信研究機構
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メジアニ ヤーヤ
東北大学電気通信研究所
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谷川 達也
パナソニック(株)セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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吹留 博一
東北大学電気通信研究所
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尾辻 泰一
Ntt 光ネットワークシステム研究所
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寳迫 巌
NICT
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寶迫 巌
情報通信研究機構
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Ryzhii Victor
会津大学コンピュータ理工学研究科
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伊藤 弘昌
理化学研究所
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大西 俊一
パナソニック(株)セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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小泉 彰
東北大学電気通信研究所
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Kim Dae-hyun
Mit
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Meziani Yahya
東北大学電気通信研究所
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DEL ALAMO
MIT
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花辺 充広
東北大学 電気通信研究所
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Meziani Yahya
東北大学 電気通信研究所
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西村 拓也
東北大学 電気通信研究所
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KHMYROVA Irina
会津大学
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KNAP Wojtek
GES-UMR5650,モンペリエ第2大学,CNRS
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MITIN Vladimir
Department of Electrical Engineering, University at Buffalo
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尾辻 泰一
東北大電気通信研究所
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チェン ハイボー
東北大学電気通信研究所
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エルファティミ アブデルアハド
東北大学電気通信研究所
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モネア ピー
CPMOH, UMR CNRS 5798, Universite Bordeaux 1
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デラネ ジェイ
CPMOH, UMR CNRS 5798, Universite Bordeaux 1
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クナップ ウォイチェック
GES CNRS-Universite Montpellier 2 UMR 5650
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ディアコノワ ニーナ
GES CNRS-Universite Montpellier 2 UMR 5650
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半田 大幸
東北大学電気通信研究所
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楢原 浩一
山形大学工学部
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Knap Wojtek
Ges-umr5650 モンペリエ第2大学 Cnrs
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Mitin Vladimir
Department Of Electrical And Computer Engineering Wayne State University
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高橋 良太
東北大電気通信研究所
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末光 哲也
東北大電気通信研究所
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久保 真人
東北大電気通信研究所
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末光 眞希
東北大電気通信研究所
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瀧川 信一
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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半田 浩之
東北大電気通信研究所
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姜 顯〓
東北大電気通信研究所
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吹留 博一
東北大電気通信研究所
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大西 俊一
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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堀池 恒平
東北大学
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ボウバンガ-トムベット ステファン
東北大学電気通信研究所
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デラネ ジェイ
Cpmoh Umr Cnrs 5798 Universite Bordeaux 1
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南出 泰亜
理化学研究所
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モネア ピー
Cpmoh Umr Cnrs 5798 Universite Bordeaux 1
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トムベット ステファン
東北大学電気通信研究所
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Boubanga-tombet Stephane
東北大学電気通信研究所
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谷本 雄大
東北大学電気通信研究所
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WANG Yuye
理化学研究所
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FATEEV Denis
Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Saratov Branch)
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POPOV Vyacheslav
Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Saratov Branch)
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COQUILLAT Dominique
Universite Montpellier 2 &CNRS
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KANP Wojciech
Universite Montpellier 2 &CNRS
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福嶋 哲也
東北大学電気通信研究所
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Kanp Wojciech
Universite Montpellier 2 &cnrs
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瀧川 信一
パナソニック株式会社 デバイス社 半導体デバイス開発センター
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Coquillat Dominique
Universite Montpellier 2 &cnrs
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伊藤 弘昌
東北大学電気通信研究所:理化学研究所フォトダイナミックスセンター
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尾辻 泰一
東北大学
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KANP Wojciech
Universite Montpellier 2 & CNRS, Place Eugene Bataillon
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COQUILLAT Dominique
Universite Montpellier 2 & CNRS, Place Eugene Bataillon
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鷹林 将
東北大学電気通信研究所:JST-CREST
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林 広幸
東北大学多元物質科学研究所
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味戸 克裕
NTTマイクロインテグレーション研究所
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リズィー ヴィクトール
東北大学電気通信研究所
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リズィー ヴィクトーノル
東北大学電気通信研究所
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VASKO Fedir
Department of Electrical Engineering, University at Buffalo
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RYZHII Victor
東北大学電気通信研究所
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畠山 信也
東北大学電気通信研究所
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尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所・電気通信研究機構
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板津 太郎
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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矢部 裕平
東北大学電気通信研究所
著作論文
- 光学励起グラフェンによるコヒーレントテラヘルツ放射の観測(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- プラズモン共鳴型エミッタのマルチチップ動作によるテラヘルツ分光測定(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- プラズモン共鳴テラヘルツエミッター光パルス応答のモンテカルロ解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- グラフェンデバイスの開発と今後の展望(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- C-10-5 プラズモン共鳴型エミッタにおける光励起テラヘルツ波放射(C-10.電子デバイス,一般講演)
- CS-11-7 2次元プラズモン共鳴効果によるテラヘルツ波発生(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
- 縦型共振器構造を有するInGaP/InGaAs/GaAsプラズモン共鳴フォトミキサーにおける室温テラヘルツ帯電磁波放射(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出,AWAD2006)
- InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-4-3 二重格子状ゲート電極を有する高電子移動度トランジスタ構造における二次元プラズモン共鳴を利用したテラヘルツ電磁波の強度変調(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ナノメートルサイズトランジスタにおける2次元プラズマ発振を利用した放射・検出とそれらのテラヘルツイメージングへの応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-8 HEMT光パルス応答のモンテカルロ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出
- C-10-13 グラフェンFETを用いたディジタル回路の性能予測(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
- p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- CI-2-5 グラフェンによるテラヘルツ波源(CI-2.テラヘルツ波源デバイスの現状と展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-10-7 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InGaAsチャネルHEMTにおける真性・寄生遅延の解析
- InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-13 半導体2次元プラズモン回折格子を利用したテラヘルツ電磁波強度変調デバイス(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-10 両極性電界効果トランジスタを用いた論理回路の解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-4-7 二次元共鳴プラズモンを利用したテラヘルツ帯光源デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- グラフェンデバイスの開発と今後の展望(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- C-10-9 超周期回折格子型ゲート電極を有するプラズモン共鳴型エミッターの数値解析的検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- CS-5-1 ミリ波・テラヘルツ波電子デバイス技術の動向(CS-5.マイクロ波・ミリ波フォトニクスを支えるデバイス・サブシステム技術,シンポジウムセッション)
- C-10-3 プラズモン共鳴型エミッターに及ぼすプラズマ不安定性の影響(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望(学生/教養のページ)
- テラヘルツ波領域におけるメタマテリアルの応用
- 2次元プラズモン共鳴型フォトミキサーのテラヘルツ帯信号増幅利得に関する解析的検討(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- HEMTのテラヘルツ帯プラズマ共鳴に与える寄生ゲートフリンジ容量の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-11-6 グラフェン-チャネルFETを用いた論理回路の解析(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- HEMT構造2次元プラズモン共鳴型エミッターからのテラヘルツ帯電磁波放射(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 非線形線路を用いた新しい全電気極短パルス生成法の提案(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-4-4 無給電素子一体型ダイポールアンテナを用いたAlGaN/GaNプラズモン共鳴テラヘルツデテクタ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-10-2 Si(001)基板上におけるグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- グラフェンチャネルトランジスタ
- p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器
- 光励起グラフェンの非平衡キャリア緩和過程とテラヘルツ帯における反転分布(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-16 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-15 ダイヤモンドライクカーボン薄膜をトップゲート絶縁膜としたグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 光学励起グラフェンのテラヘルツ誘導増幅放出(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 非対称二重回折格子状ゲート電極を有するInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いた超高感度プラズモニックテラヘルツ波検出器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化
- ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 二重格子ゲートHEMT内二次元電子ガスにおけるプラズマ不安定性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 二重格子ゲートHEMT内二次元電子ガスにおけるプラズマ不安定性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 二重格子ゲートHEMT内二次元電子ガスにおけるプラズマ不安定性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 二重格子ゲートHEMT内二次元電子ガスにおけるプラズマ不安定性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 二重格子ゲートHEMT内二次元電子ガスにおけるプラズマ不安定性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- ED2012-100 300GHz〜1THzを利用した無線通信の将来展望(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ED2012-98 光パルス励起によるグラフェン内テラヘルツ反転分布形成(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- グラフェンにおけるテラヘルツ二次元プラズモンのシミュレーションによる解析(テラヘルツ応用,シミュレーション技術,一般)
- CI-1-3 グラフェンテラヘルツレーザーとフォトニックデバイス応用の可能性(CI-1.光アクティブデバイスの新たな展開,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-10-7 多層SiCN絶縁膜によるAIGaN/GaN HEMT用傾斜フィールドプレートの形成(C-10.電子デバイス)
- 光・無線融合ネットワークを実現する超高周波光電子デバイス技術(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- 光・無線融合ネットワークを実現する超高周波光電子デバイス技術(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- グラフェンの超高周波光・電子デバイス応用
- C-10-5 テラヘルツ領域における金属メッシュ構造の反射特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)