C-10-9 超周期回折格子型ゲート電極を有するプラズモン共鳴型エミッターの数値解析的検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-09-02
著者
-
西村 拓也
東北大学電気通信研究所
-
尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所
-
尾辻 泰一
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
尾辻 泰一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
馬籠 伸紘
東北大学電気通信研究所
-
尾辻 康一
九州工大
関連論文
- 光学励起グラフェンによるコヒーレントテラヘルツ放射の観測(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- プラズモン共鳴型エミッタのマルチチップ動作によるテラヘルツ分光測定(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- プラズモン共鳴テラヘルツエミッター光パルス応答のモンテカルロ解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- グラフェンデバイスの開発と今後の展望(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- C-10-5 プラズモン共鳴型エミッタにおける光励起テラヘルツ波放射(C-10.電子デバイス,一般講演)
- CS-11-7 2次元プラズモン共鳴効果によるテラヘルツ波発生(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
- 縦型共振器構造を有するInGaP/InGaAs/GaAsプラズモン共鳴フォトミキサーにおける室温テラヘルツ帯電磁波放射(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出,AWAD2006)
- InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-4-3 二重格子状ゲート電極を有する高電子移動度トランジスタ構造における二次元プラズモン共鳴を利用したテラヘルツ電磁波の強度変調(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ナノメートルサイズトランジスタにおける2次元プラズマ発振を利用した放射・検出とそれらのテラヘルツイメージングへの応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-8 HEMT光パルス応答のモンテカルロ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出
- C-10-13 グラフェンFETを用いたディジタル回路の性能予測(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
- p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 光電気融合技術による超高速光アイパタン測定
- 10-80 Gb/s光電気融合型パルスパターン発生とその高速電子デバイス評価への応用
- 導波路型p-i-nPD搭載光電気変換プローブの低分散化
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-13 多層配線構造を有するGaAs MESFETを用いた分布型セレクタIC
- CI-2-5 グラフェンによるテラヘルツ波源(CI-2.テラヘルツ波源デバイスの現状と展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-12-5 マルチチップモジュール技術を用いた40Gbit/sデータディテクタ
- C-10-7 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InGaAsチャネルHEMTにおける真性・寄生遅延の解析
- InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-13 半導体2次元プラズモン回折格子を利用したテラヘルツ電磁波強度変調デバイス(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-10 両極性電界効果トランジスタを用いた論理回路の解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-4-7 二次元共鳴プラズモンを利用したテラヘルツ帯光源デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- グラフェンデバイスの開発と今後の展望(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- C-10-7 新構造InGaP/InGaAs/GaAsプラズモン共鳴型フォトミキサーによる室温テラヘルツ電磁波放射(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-9 超周期回折格子型ゲート電極を有するプラズモン共鳴型エミッターの数値解析的検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- CS-5-1 ミリ波・テラヘルツ波電子デバイス技術の動向(CS-5.マイクロ波・ミリ波フォトニクスを支えるデバイス・サブシステム技術,シンポジウムセッション)
- C-10-3 プラズモン共鳴型エミッターに及ぼすプラズマ不安定性の影響(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望(学生/教養のページ)
- テラヘルツ波領域におけるメタマテリアルの応用
- 2次元プラズモン共鳴型フォトミキサーのテラヘルツ帯信号増幅利得に関する解析的検討(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- B-10-64 40Gbit/s TDM送受信プロトタイプを用いた160 Gbit/sWDM伝送実験
- HEMTのテラヘルツ帯プラズマ共鳴に与える寄生ゲートフリンジ容量の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-7 プラズモン共鳴型フォトミキサーのテラヘルツ帯周波数逓倍器としての可能性(C-10.電子デバイス,一般講演)
- InP HEMTによる80 Gbit/sマルチプレクサIC
- 40Gbit/s級光伝送システム用EX-OR/NORIC
- InGaAs/InAlAs/InP HEMTによる80Gbit/s動作の2:1マルチプレクサIC
- InGaAs/InAlAs/InP HEMTによる80Gbit/s動作の2:1マルチプレクサIC
- InGaAs/InAlAs/InP HEMTによる80Gbit/s動作の2:1マルチプレクサIC
- ULTIMATEの高精度タイミング発生・補正技術 (VLSI試験技術--500MHz VLSIテストシステム"ULTIMATE")
- C-11-6 グラフェン-チャネルFETを用いた論理回路の解析(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- HEMT構造2次元プラズモン共鳴型エミッターからのテラヘルツ帯電磁波放射(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- SCFL型出力バッファをもつ高速共鳴トンネルフリップフロップ回路
- 光電気融合型超高速パルスパタン発生システムとHEMT分布アンプのオンウェハー大信号評価への応用
- C-10-14 結合線路を用いた超高速AND処理回路
- 進行波型DEMUX : 超高速処理のための新規論理回路の提案
- 進行波型DEMUX : 超高速処理のための新規論理回路の提案
- 進行波型DEMUX : 超高速処理のための新規論理回路の提案
- 進行波型DEMUX : 超高速処理のための新規論理回路の提案
- 進行波型トランジスタの波動伝播特性
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いた高速ディジタル回路
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いた高速ディジタル回路
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いた高速ディジタル回路
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
- 非線形線路を用いた新しい全電気極短パルス生成法の提案(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-4-4 無給電素子一体型ダイポールアンテナを用いたAlGaN/GaNプラズモン共鳴テラヘルツデテクタ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-10-2 Si(001)基板上におけるグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 共鳴トンネルダイオードと単一走行キャリアフォトダイオードを用いた80Gbit/s光電気融合DEMUXIC
- グラフェンチャネルトランジスタ
- p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器
- 光励起グラフェンの非平衡キャリア緩和過程とテラヘルツ帯における反転分布(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-16 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-15 ダイヤモンドライクカーボン薄膜をトップゲート絶縁膜としたグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 光学励起グラフェンのテラヘルツ誘導増幅放出(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 非対称二重回折格子状ゲート電極を有するInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いた超高感度プラズモニックテラヘルツ波検出器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化
- ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 二重格子ゲートHEMT内二次元電子ガスにおけるプラズマ不安定性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 二重格子ゲートHEMT内二次元電子ガスにおけるプラズマ不安定性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 二重格子ゲートHEMT内二次元電子ガスにおけるプラズマ不安定性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 二重格子ゲートHEMT内二次元電子ガスにおけるプラズマ不安定性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 二重格子ゲートHEMT内二次元電子ガスにおけるプラズマ不安定性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- ED2012-100 300GHz〜1THzを利用した無線通信の将来展望(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ED2012-98 光パルス励起によるグラフェン内テラヘルツ反転分布形成(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- グラフェンにおけるテラヘルツ二次元プラズモンのシミュレーションによる解析(テラヘルツ応用,シミュレーション技術,一般)
- CI-1-3 グラフェンテラヘルツレーザーとフォトニックデバイス応用の可能性(CI-1.光アクティブデバイスの新たな展開,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-10-7 多層SiCN絶縁膜によるAIGaN/GaN HEMT用傾斜フィールドプレートの形成(C-10.電子デバイス)
- 光・無線融合ネットワークを実現する超高周波光電子デバイス技術(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- 光・無線融合ネットワークを実現する超高周波光電子デバイス技術(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- グラフェンの超高周波光・電子デバイス応用
- C-10-5 テラヘルツ領域における金属メッシュ構造の反射特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)