多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を持つInGaAs HEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
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概要
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ミリ波帯応用を目指したIII-V系化合物半導体FETにおいては,短ゲート化に伴うゲート抵抗増大への対策としてT型ゲート電極が用いられる。これは,最大発振周波数f_<max>に対するゲート抵抗の影響を抑えるためであるが,ゲート長が数十nmまで微細化された今日では,T型ゲート頭部-チャネル間における寄生ゲート容量が,電流利得遮断周波数f_Tにも影響を及ぼすことが報告されている。また,微細T型ゲートではゲート金属の段切や頭部電極剥離による歩留まりの低下も心配される。したがって,T型ゲート電極の断面形状の設計,加工はこれまで以上に緻密に行う必要がある。今回我々は,hexamethyldisilazane(HMDS)気化導入PECVDを用いて,成膜条件によってエッチング速度の異なるSiCN薄膜を複数層堆積,加工した鋳型を用いて電極断面形状の精密制御する手法で,2種類の異なるT型ゲート電極を持つInGaAs HEMTを作製した。また,デバイス特性を評価した結果,両デバイスにおけるT型ゲート形状の違いによる,寄生ゲート容量とゲート抵抗の変化を確認したので報告する。
- 2013-01-10
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