InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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概要
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InP系材料を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高速・高周波用素子として研究開発が進められてきている。HEMTは主としてゲート長(L_g)の短縮化によって電流利得遮断周波数(f_T)の向上を実現してきた。しかし、ゲート長が100nm以下の領域では,ゲート長の短縮化に対してf_Tの伸びはゆるやかになってきており、その原因として寄生遅延因子の影響が相対的に大きくなっていることが考えられる。今回、HEMTのゲート・ソース間容量(C_<gs>)に着目し、T型ゲート電極構造の有無がC_<gs>に与える影響を確認したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-01-07
著者
-
堀池 恒平
東北大学電気通信研究所
-
尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所
-
尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所:jst-crest
-
尾辻 泰一
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
末光 哲也
東北大学電気通信研究所
-
尾辻 泰一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
福田 俊介
東北大学
-
福田 俊介
東北大学電気通信研究所
-
赤川 啓介
東北大学電気通信研究所
-
尾辻 康一
九州工大
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