尾辻 泰一 | Ntt光ネットワークシステム研究所

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概要

• 同名の論文著者
• Ntt光ネットワークシステム研究所の論文著者

関連著者

• 尾辻 泰一

  Ntt光ネットワークシステム研究所

• 尾辻 康一

  九州工大

• 尾辻 泰一

  東北大学電気通信研究所

• 尾辻 泰一

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 尾辻 泰一

  東北大学電気通信研究所:jst-crest

• 尾辻 泰一

  Ntt 光ネットワークシステム研究所

• 尾辻 泰一

  東北大 電通研

• 佐野 栄一

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 尾辻 泰一

  東北大学 電気通信研究所

• 佐野 栄一

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 末光 哲也

  東北大学電気通信研究所

• 楳田 洋太郎

  Nttフォトニクス研究所

• 楳田 洋太郎

  Nttフォトニクス研

• ルリズィー ヴィクトー

  会津大学コンピュータ理工学部

• Ryzhii Victor

  会津大 コンピュータ理工

• Ryzhii Victor

  会津大学コンピュータ理工学研究科:jst-crest

• 佐野 栄一

  Jst‐crest

• 楳田 洋太郎

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• リズィー ヴィクトール

  会津大学大学院コンピュータ理工学研究科:jst-crest

• 村田 浩一

  Ntt光ネットワークシステム研究所

• 楳田 洋太郎

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 榎木 孝知

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 西村 拓也

  東北大学電気通信研究所

• 村田 浩一

  日本電信電話株式会社

• 今井 祐記

  Nttフォトニクス研究所

• 米山 幹夫

  Ntt光ネットワークシステム研究所

• 令井 祐記

  NTT LSI研究所

• 楢原 浩一

  NTT 光ネットワークシステム研究所

• メチアニ ヤーヤ

  東北大学電気通信研究所

• メチアニ ヤーヤ・ムバラク

  東北大学電気通信研究所

• 今井 祐記

  Nttエレクトロニクス株式会社

• 楢原 浩一

  NTT光ネットワークシステム

• 村田 浩一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 松崎 秀昭

  NTTフォトニクス研究所

• 松崎 秀昭

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 末光 眞希

  東北大学電気通信研究所

• 山本 眞史

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 永妻 忠夫

  NTT通信エネルギー研究所

• 堀池 恒平

  東北大学電気通信研究所

• 花辺 充広

  東北大学電気通信研究所

• 末光 眞希

  東北大通研

• 加藤 和利

  Nttフォトニクス研究所

• リズィー マキシム

  会津大学コンピュータ理工学部

• Ryzhii Maxim

  会津大 コンピュータ理工

• リズィー ヴィクトール

  会津大学コンピュータ物性学講座

• 村田 浩一

  NTT 光ネットワークシステム研究所

• リズィー マキシム

  会津大学コンピュータ物性学講座

• 末光 真希

  東北大学電気通信研究所

• 前澤 宏一

  名古屋大学量子工学専攻

• 前澤 宏一

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 松崎 秀昭

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 楳田 洋太郎

  NTT システムエレクトロニクス研究所

• 榎木 孝知

  NTT システムエレクトロニクス研究所

• 佐野 栄一

  Ntt光ネットワークシステム研究所

• 半田 浩之

  東北大学電気通信研究所

• 渡辺 隆之

  東北大学電気通信研究所

• 唐澤 宏美

  東北大学電気通信研究所

• 小森 常義

  東北大学電気通信研究所

• 松岡 渉

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 加藤 和利

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 矢板 信

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 尾辻 泰一

  NTT LSI研究所

• 姜 顯〓

  東北大学電気通信研究所

• 福田 俊介

  東北大学

• 馬籠 伸紘

  東北大学電気通信研究所

• 荒井 邦博

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• Kang Hyon‐choru

  東北大電気通信研究所

• 金子 真也

  東北大学電気通信研究所

• 宮本 優

  東北大学電気通信研究所

• 永妻 忠夫

  NTT LSI研究所

• 宮澤 弘

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 窪田 健太郎

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 菊池 博行

  Nttエレクトロニクス

• 細野 洋平

  東北大学電気通信研究所

• ミッティン ウラジミール

  ニューヨーク州立大学バッファロー校電気工学科

• 宮澤 弘

  NTTフォトニクス研究所

• 菊池 博行

  NTT光ネットワークシステム研究所

• 高塚 裕也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• リズィー ヴィクトール

  会津大学大学院コンピュータ理工学研究科

• 佐藤 昭

  会津大学コンピュータ物性学講座

• 福田 俊介

  東北大学電気通信研究所

• 赤川 啓介

  東北大学電気通信研究所

• 佐藤 昭

  東北大学電気通信研究所

• リズィー ヴィクトール

  会津大学ナノエレクトロニクス講座

• 久保 真人

  東北大学電気通信研究所

• 津田 祐樹

  東北大学電気通信研究所

• 佐藤 昭

  東北大学電気通信研究所:jst-crect

• 佐野 栄一

  Ntt

• 佐藤 昭

  東北大学 電気通信研究所

• 石橋 忠夫

  NTTエレクトロニクス株式会社

• 大坂 次郎

  名古屋大学工学部

• 平野 章

  NTT光ネットワークシステム研究所

• 山口 聡

  工学院大学工学部電子工学科

• 宮本 裕

  Ntt光ネットワークシステム研究所

• 三富 修

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 永妻 忠夫

  大阪大学大学院 基礎工学研究科

• 米山 幹夫

  日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所

• 寶迫 巌

  (独)情報通信研究機構

• メジアニ ヤーヤ

  東北大学電気通信研究所

• 加藤 和利

  NTT 光エレクトロニクス研究所

• 石橋 忠夫

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 谷川 達也

  パナソニック(株)セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 三冨 修

  日本ガイシ(株)

• 吹留 博一

  東北大学電気通信研究所

• Otsuji Taiichi

  Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University

• 寳迫 巌

  NICT

• 野口 一人

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 永妻 忠夫

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 三冨 修

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 寶迫 巌

  情報通信研究機構

• Ryzhii Victor

  会津大学コンピュータ理工学研究科

• 米山 幹夫

  Ntt Lsi研究所

• 大西 俊一

  パナソニック(株)セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 矢板 信

  NTT LSI研究所

• 小泉 彰

  東北大学電気通信研究所

• 松広 一良

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 尾辻 泰一

  NTTLSI研究所

• 永妻 忠夫

  NTTLSI研究所

• 矢板 信

  NTTLSI研究所

• 今井 祐記

  NTT エレクトロニクステクノロジー

• 山口 聡

  日本テレマティーク株式会社

• Kim Dae-hyun

  Mit

• Meziani Yahya

  東北大学電気通信研究所

• DEL ALAMO

  MIT

• 石原 隆子

  NTT LSI研究所

• 清水 直文

  NTT光ネットワークシステム研究所

• 花辺 充広

  東北大学 電気通信研究所

• Meziani Yahya

  東北大学 電気通信研究所

• 金子 真也

  東北大学 電気通信研究所

• 三冨 修

  電電公社

• KHMYROVA Irina

  会津大学

• KNAP Wojtek

  GES-UMR5650,モンペリエ第2大学,CNRS

• 明吉 智幸

  NTTフォトニクス研究所

• 尾辻 泰一

  東北大電気通信研究所

• チェン ハイボー

  東北大学電気通信研究所

• エルファティミ アブデルアハド

  東北大学電気通信研究所

• モネア ピー

  CPMOH, UMR CNRS 5798, Universite Bordeaux 1

• デラネ ジェイ

  CPMOH, UMR CNRS 5798, Universite Bordeaux 1

• クナップ ウォイチェック

  GES CNRS-Universite Montpellier 2 UMR 5650

• ディアコノワ ニーナ

  GES CNRS-Universite Montpellier 2 UMR 5650

• 半田 大幸

  東北大学電気通信研究所

• 大阪 次郎

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 横山 春樹

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• Sano Eiichi

  Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) Hokkaido University

• Knap Wojtek

  Ges-umr5650 モンペリエ第2大学 Cnrs

• 佐野 公一

  NTT光ネットワークシステム研究所

• 明吉 智幸

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 高橋 良太

  東北大電気通信研究所

• 末光 哲也

  東北大電気通信研究所

• 久保 真人

  東北大電気通信研究所

• 末光 眞希

  東北大電気通信研究所

• 瀧川 信一

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 半田 浩之

  東北大電気通信研究所

• 姜 顯〓

  東北大電気通信研究所

• 福嶋 哲也

  東北大電気通信研究所

• 鷹林 将

  東北大電気通信研究所

• 吹留 博一

  東北大電気通信研究所

• 大西 俊一

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 堀池 恒平

  東北大学

• Narahara Koichi

  Department Of Electrical Engineering Yamagata University

• ボウバンガ-トムベット ステファン

  東北大学電気通信研究所

• デラネ ジェイ

  Cpmoh Umr Cnrs 5798 Universite Bordeaux 1

• モネア ピー

  Cpmoh Umr Cnrs 5798 Universite Bordeaux 1

• 瀧川 信一

  パナソニック株式会社 デバイス社 半導体デバイス開発センター

• 尾辻 泰一

  東北大学

• Otsuji Taiichi

  Research Institute for Electrical Communication, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan

• 味戸 克裕

  NTTマイクロインテグレーション研究所

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著作論文

• 光学励起グラフェンによるコヒーレントテラヘルツ放射の観測(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• プラズモン共鳴型エミッタのマルチチップ動作によるテラヘルツ分光測定(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• プラズモン共鳴テラヘルツエミッター光パルス応答のモンテカルロ解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• グラフェンデバイスの開発と今後の展望(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• C-10-5 プラズモン共鳴型エミッタにおける光励起テラヘルツ波放射(C-10.電子デバイス,一般講演)
• CS-11-7 2次元プラズモン共鳴効果によるテラヘルツ波発生(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
• 縦型共振器構造を有するInGaP/InGaAs/GaAsプラズモン共鳴フォトミキサーにおける室温テラヘルツ帯電磁波放射(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
• C-4-3 二重格子状ゲート電極を有する高電子移動度トランジスタ構造における二次元プラズモン共鳴を利用したテラヘルツ電磁波の強度変調(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• ナノメートルサイズトランジスタにおける2次元プラズマ発振を利用した放射・検出とそれらのテラヘルツイメージングへの応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• C-10-8 HEMT光パルス応答のモンテカルロ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-13 グラフェンFETを用いたディジタル回路の性能予測(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
• p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
• 光電気融合技術による超高速光アイパタン測定
• 10-80 Gb/s光電気融合型パルスパターン発生とその高速電子デバイス評価への応用
• 導波路型p-i-nPD搭載光電気変換プローブの低分散化
• Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
• C-10-13 多層配線構造を有するGaAs MESFETを用いた分布型セレクタIC
• CI-2-5 グラフェンによるテラヘルツ波源(CI-2.テラヘルツ波源デバイスの現状と展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• C-12-5 マルチチップモジュール技術を用いた40Gbit/sデータディテクタ
• C-10-7 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• InGaAsチャネルHEMTにおける真性・寄生遅延の解析
• InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• C-10-13 半導体2次元プラズモン回折格子を利用したテラヘルツ電磁波強度変調デバイス(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-10 両極性電界効果トランジスタを用いた論理回路の解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-4-7 二次元共鳴プラズモンを利用したテラヘルツ帯光源デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• グラフェンデバイスの開発と今後の展望(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• C-10-7 新構造InGaP/InGaAs/GaAsプラズモン共鳴型フォトミキサーによる室温テラヘルツ電磁波放射(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-9 超周期回折格子型ゲート電極を有するプラズモン共鳴型エミッターの数値解析的検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• CS-5-1 ミリ波・テラヘルツ波電子デバイス技術の動向(CS-5.マイクロ波・ミリ波フォトニクスを支えるデバイス・サブシステム技術,シンポジウムセッション)
• C-10-3 プラズモン共鳴型エミッターに及ぼすプラズマ不安定性の影響(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望(学生/教養のページ)
• テラヘルツ波領域におけるメタマテリアルの応用
• B-10-64 40Gbit/s TDM送受信プロトタイプを用いた160 Gbit/sWDM伝送実験
• HEMTのテラヘルツ帯プラズマ共鳴に与える寄生ゲートフリンジ容量の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• InP HEMTによる80 Gbit/sマルチプレクサIC
• 40Gbit/s級光伝送システム用EX-OR/NORIC
• InGaAs/InAlAs/InP HEMTによる80Gbit/s動作の2:1マルチプレクサIC
• InGaAs/InAlAs/InP HEMTによる80Gbit/s動作の2:1マルチプレクサIC
• InGaAs/InAlAs/InP HEMTによる80Gbit/s動作の2:1マルチプレクサIC
• ULTIMATEの高精度タイミング発生・補正技術 (VLSI試験技術--500MHz VLSIテストシステム"ULTIMATE")
• C-11-6 グラフェン-チャネルFETを用いた論理回路の解析(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• HEMT構造2次元プラズモン共鳴型エミッターからのテラヘルツ帯電磁波放射(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• SCFL型出力バッファをもつ高速共鳴トンネルフリップフロップ回路
• 光電気融合型超高速パルスパタン発生システムとHEMT分布アンプのオンウェハー大信号評価への応用
• C-10-14 結合線路を用いた超高速AND処理回路
• 進行波型DEMUX : 超高速処理のための新規論理回路の提案
• 進行波型DEMUX : 超高速処理のための新規論理回路の提案
• 進行波型DEMUX : 超高速処理のための新規論理回路の提案
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• 進行波型トランジスタの波動伝播特性
• 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いた高速ディジタル回路
• 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いた高速ディジタル回路
• 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いた高速ディジタル回路
• InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
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• InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/s級デイジタルIC
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• C-4-4 無給電素子一体型ダイポールアンテナを用いたAlGaN/GaNプラズモン共鳴テラヘルツデテクタ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-10-2 Si(001)基板上におけるグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 共鳴トンネルダイオードと単一走行キャリアフォトダイオードを用いた80Gbit/s光電気融合DEMUXIC
• グラフェンチャネルトランジスタ
• ULTIMATEのシステム特性 (VLSI試験技術--500MHz VLSIテストシステム"ULTIMATE")
• 光励起グラフェンの非平衡キャリア緩和過程とテラヘルツ帯における反転分布(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• Material Report R&D プラズモン共鳴を利用した新原理半導体デバイスの室温テラヘルツ電磁波放射
• Pulse Compression by Quasi-Steady Propagation along Switch Lines
• 外部位相変調型短光パルス発生における自己相関幅/強度幅比の検討
• ED2012-100 300GHz〜1THzを利用した無線通信の将来展望(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)

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