松崎 秀昭 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
松崎 秀昭
NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話
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小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大坂 次郎
名古屋大学工学部
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山本 眞史
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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前澤 宏一
名古屋大学量子工学専攻
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尾辻 泰一
Ntt 光ネットワークシステム研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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前澤 宏一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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松崎 秀昭
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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荒井 邦博
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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尾辻 康一
九州工大
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横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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尾辻 泰一
Ntt光ネットワークシステム研究所
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横山 春喜
日本電信電話
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小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
NTTフォトニクス研
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横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大坂 次郎
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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徳光 雅美
NTTフォトニクス研究所
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徳光 雅美
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス
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小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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福山 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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小田 康裕
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
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佐野 栄一
北海道大学大学院情報科学研究科
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丸山 隆志
Nttアドバンステクノロジ株式会社
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研
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稲船 浩司
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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榎木 考知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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福山 裕之
Nttフォトニクス研究所
-
福山 裕之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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明吉 智幸
NTTフォトニクス研究所
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稲船 浩司
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻博士後期課程
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佐野 栄一
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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佐野 公一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本大学生物資源科学部
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村本 好史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小田 康裕
NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
神戸市立王子動物園
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村田 浩一
日本大学生物資源科学部動物資源科学科野生動物学研究室
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大坂 次郎
Nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話(株)
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村田 浩一
Ntt未来ねっと研究所
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高橋 宏行
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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佐野 公一
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
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村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
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野坂 秀之
Nttワイヤレスシステム研究所
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中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社
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中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
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石橋 忠夫
日本電信電話(株)フォトニクス研究所(現)NTTエレクトロニクス
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松崎 秀昭
東日本電信電話株式会社
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高橋 宏行
NTTフォトニクス研究所
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榎木 考知
NTTフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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村田 浩一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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村田 浩一
日本大学 生物資源科学部
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伊藤 敏洋
Ntt フォトニクス研
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佐野 公一
日本電信電話株式会社
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横山 春喜
Nttフォトニクス研
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伊藤 敏洋
NTTフォトニクス研究所
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佐野 公一
NTT未来ねっと研究所
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杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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大阪 次郎
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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横山 春樹
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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前澤 宏一
NTT System Electronics研究所
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松崎 秀昭
NTT System Electronics研究所
-
荒井 邦博
NTT System Electronics研究所
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明吉 智幸
NTT System Electronics研究所
-
大坂 次郎
NTT System Electronics研究所
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尾辻 泰一
NTT System Electronics研究所
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山本 眞史
NTT System Electronics研究所
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伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
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佐藤 宏
日産自動車
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伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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名田 允洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村本 好史
Ntt フォトニクス研
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佐藤 宏
日産自動車株式会社総合研究所
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中村 光範
日産自動車株式会社総合研究所
-
クライソン トロンナムチャイ
日産自動車株式会社総合研究所
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濱田 裕史
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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堤 卓也
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
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佐野 公一
NTTフォトニクス研究所
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野坂 秀之
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
-
堤 卓也
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
名田 允洋
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
著作論文
- MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- C-10-3 超高速ディジタル回路用共鳴トンネルダイオード特性
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- 0.1μmゲートInP HEMTによるミリ波アクティブ集積アンテナ発振回路(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- CS-10-3 ミリ波応用に向けたInP HEMT技術(CS-10.ミリ波・サブミリ波信号検出技術の現状と展開,シンポジウム)
- 横方向微細化InP系HEMTの作製技術と素子特性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- タングステンをオーミック電極に用いた新たな横方向微細化技術によるInP系HEMTの特性向上
- C-10-12 0.1μmゲートInP系HEMTによる111GHzアクティブ集積アンテナ(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-7 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTを用いた低消費電力・高速SCFLインバータ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- TC-1-3 共鳴トンネルダイオード電流-電圧特性の向上と最適化
- SC-9-6 BCB 液体ソースを用いたプラズマ CVD 法で堆積した低誘電率有機膜の膜質特性
- MOBILEの過渡応答と動作速度解析
- MOBILEの過渡応答と動作速度解析
- C-10-12 MOBILE過渡応答に対するRTD寄生抵抗の影響
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いたセレクタ回路
- 共鳴トンネルダイオード/HEMT集積回路技術
- SCFL型出力バッファをもつ高速共鳴トンネルフリップフロップ回路
- 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いた高速・低消費電力フリップフロップ回路
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いた高速ディジタル回路
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いた高速ディジタル回路
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いた高速ディジタル回路
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いた簡素な構成の1/2スタティック分周器
- C-2-98 140GHz帯ミリ波イメージング装置の冬季屋外試験(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置,一般セッション)
- 140GHz帯パッシブイメージング用受信ICとアンテナ一体型サブアッセンブリ : 小型パッシブイメージングシステムへ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-4-24 ダイナミックレンジ拡大に向けた25-Gbit/s級InAIAsアバランシェフォトダイオードの低利得動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-10-8 F帯フルカバースペクトル分析に向けたMMICミキサ回路(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-5 サブミリ波帯InP-IC向けウェハレベル裏面プロセス(C-10.電子デバイス,一般セッション)