C-10-15 歪系In_<0.75>Al_<0.25>P/In_<0.75>Ga_<0.25>As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-08
著者
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
-
横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
NTTフォトニクス研究所
-
松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
-
杉山 弘樹
日本電信電話
-
横山 春喜
日本電信電話
-
松崎 秀昭
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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