InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
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概要
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InPヘテロ接合バイポーラトランジスタ(InP HBT)の全面再成長法により、InP HBTと単一走行キャリアフォトダイオード(UTC-PD)のモノリシック集積化を検討した。作製したHBTは、コレクタ電流密度2.5mA/μm^2において、f_t=260GHz、f_<max>=320GHzの特性を示した。この性能は、これまで我々が作製してきたHBTと同等の性能であり、再成長による性能劣化はない。また、同一基板上に作製したUTC-PDは3dB帯域100GHzかつ出力電圧1.0Vの性能を示し、HBTと同様に集積化に伴う性能劣化がない。更に、本集積化技術を用いてInP HBTとUTC-PDを集積した光クロック入力分周ICを作製し、100GHz光クロックを振幅150mVの50GHz電気クロックへ分周することに成功した。この結果は、本集積化技術が超100Gbit/s級回路作製へ高いポテンシャルを持つことを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-27
著者
-
柏尾 典秀
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐野 公一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
福山 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
菅原 裕彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
徳光 雅美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
-
渡邊 則之
Nttフォトニクス研究所
-
菅原 裕彦
NTTアドバンステクノロジ(株)
-
徳光 雅美
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
佐野 公一
日本電信電話株式会社
-
井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
-
福山 裕之
Nttフォトニクス研究所
-
福山 裕之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
栗島 賢二
Nttフォトニクス研究所
-
柏尾 典秀
Nttフォトニクス研究所
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
-
井田 実
日本電信電話
-
栗島 賢二
日本電信電話
-
佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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