高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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100Gbit/s級IC向け0.5μmエミッタInP/InGaAs HBTを開発した。高速化を図るために、エピタキシャル層を薄層化し、エミッタ幅を0.5μmまで微細化した。また、高電流密度動作において高い信頼性を確保するためにパッシベーションレッジ構造と耐熱性に優れたタングステン系エミッタ電極を導入した。作製したHBTは、コレクタ電流密度4mA/μm^2において、電流利得58、電流利得遮断周波数321GHz、最大発振周波数301GHzを示した。更に、加速寿命試験の結果より、電流利得の劣化モードの活性化エネルギーは1.5eVであり、接合温度125℃で外挿したデバイス寿命(MTTF)は1×10^8時間以上であることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-09
著者
-
柏尾 典秀
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
-
深井 佳乃
日本電信電話(株)
-
山幡 章司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
-
山幡 章司
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
Nttフォトニクス研究所
-
柏尾 典秀
Nttフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
日本電信電話
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