サブミリアンペア動作超高速InP/InGaAs HBT
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概要
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ドライ, ウェット併用エッチングを用いたセルフアライン技術によりエミッタ電極面積1×2,2×2,2×5,2×20μm^2のInP/InGaAs HBTを作製し、静持性及び高周波特性を評価した。その結果InP/InGaAs HBTではGaAs系HBTと比較した場合エミッタサイズ効果が顕著ではなく微小素子においても高い電流利得が得られること、また微小素子の高周波特性のサイズの大きい素子と同等のものが得られることがわかった。作製した1×2μm^2素子の電流利得βは60であり、カットオフ周波数f_Tはサブミリアンペア領域のコレクタ電流(I_c【greater than or equal】0.6mA)で100GHz以上と高速である。これらの結果から、InP/InGaAs HBTは低消費電力IC応用に有望であると言える。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-20
著者
-
小林 隆
NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
-
中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
Ntt Lsi研究所
-
山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
-
松岡 裕
Nttフォトニクス研究所
-
松岡 裕
アンリツ株式会社
-
山幡 章司
NTT LSI研究所
-
栗島 賢二
NTT LSI研究所
-
松岡 裕
NTT LSI研究所
-
小林 隆
NTT LSI研究所
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