AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• AlGaN/GaNヘテロ構造におけるオーミック接合として,Al/Ti/Al/Ni/Au電極材料を試みた.1×10^<-5>Ωcm^2以下の低接触抵抗率のオーミック接合を得るのに,従来のTi/Al/Ni/Auでは850℃以上の高温熱処理が必要であったのに対し,今回のAl/Ti/Al/Ni/Auでは650℃から850℃の低温かつ幅広い熱処理温度で得られた

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-05-08

著者

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 小林 隆

  NTTフォトニクス研究所

• 小林 隆

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所

• 廣木 正伸

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 西村 一巳

  日本電信電話(株)フォトニクス研究所

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 西村 一己

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 西村 一巳

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社

• 西村 一巳

  日本電信電話(株) Nttフォトニクス研

• 西村 一巳

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研

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