InAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造及びそれを用いた電子デバイス特性

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概要

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• 2009-03-09

著者

• 小林 隆

  NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 廣木 正伸

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  NTTフォトニクス研

• 前田 就彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 前田 就彦

  NTTフォトニクス研究所

• 廣木 正伸

  NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  Ntt フォトニクス研

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社

• 重川 直輝

  大阪市立大学大学院工学研究科

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