短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
サファイアおよびSiC基板上に短ゲートAlGaN/GaN HEMTを作製し、DC、及びRF特性を評価した。表面モフォロジー、移動度、接触抵抗に両者で違いがみられ、接触抵抗が相互コンダクタンスを制限していることが分かった。しかし、ソース抵抗の影響を差し引いた真性相互コンダクタンスはほぼ同じであり、遮断周波数のゲート長依存性も同一線上に乗ることが分かった。これらの結果はサファイアおよびSiC基板上HEMTの電子速度に差が無いことを示唆するものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-06
著者
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
Ntt フォトニクス研
-
重川 直輝
Ntt フォトニクス研
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社
-
横山 春喜
日本電信電話
-
重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
関連論文
- C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
- C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- C-10-12 BCB層間膜配線とInP系HEMTを用いたSCFLスタティック分周器
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- BCB層間膜を用いた配線の高速伝播特性
- InAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いたダイナミック分周器の遅延時間解析
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- CS-7-1 光クロックトランジスタアレイ(OCTA)を用いた高速非同期光ラベル処理技術(ELEX Best Paper Award受賞記念講演,CS-7.変復調用集積光デバイスの現状と展望,シンポジウム)
- B-12-8 非同期任意長光パケットに対するエラーフリーラベル交換動作(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- C-4-21 MIC-PDを使用した100Gbイーサネット用25Gbit/s ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-4-17 MIC-PDを使用したシリアル40Gbイーサネット用ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの電子輸送特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの電子輸送特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG 構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (光エレクトロニクス)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (フォトニックネットワーク)
- C-10-20 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価(C-10.電子デバイス)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- InAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造及びそれを用いた電子デバイス特性
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス 周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- SiN膜によるAlGaN/GaNヘテロ構造の表面保護効果 : 熱処理損傷の回復
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 微小ショットキー電極を用いたGaN結晶の評価 : 低キャリアn-GaNの結晶欠陥とI-V特性との相関
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTの作製と評価
- チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
- 微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関
- チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
- 微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関
- CS-9-6 GaN電子デバイスの開発動向、今後の展開、技術課題(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性とHEMT特性との相関(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- AlGaN/GaN 2DEG構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- AlGaN/GaN 2DEG構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- AlGaN/GaN 2DEG 構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの自己発熱評価
- InP/InGaAs新構造 Avalanche photodiode の高増倍率動作
- Si基板上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW構造太陽電池
- グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- SC-7-12 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 高電子移動度トランジスタの高速性能極限の追求
- C-3-33 ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(光送受信モジュール・デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- SC-6-1 電子デバイス開発に向けたGaN結晶の評価
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス