微小ショットキー電極を用いたGaN結晶の評価 : 低キャリアn-GaNの結晶欠陥とI-V特性との相関
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概要
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我々は微小電極の形成と導電性プローブを用いたAFM(atomic force microscopy)測定とを組み合わせることにより、結晶欠陥と電極特性との相関を得る手法を提案している。低キャリア濃度n-GaN基板上に直径0.5μmのAu/Niショットキー電極を形成し、転位と電流-電圧(I-V)特性との相関を評価した。混合、及び刃状転位は順逆両方向のI-V特性に影響を及ぼさないことが分かった。しかし、構造の大きな欠陥は電極を短絡させることが分かった。この結果はFETのゲート電極の微細化を進める上で、転位の有無による不均一性を考慮しなくても良いという知見を与えるものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-23
著者
-
末光 哲也
NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
Ntt フォトニクス研
-
塩島 謙次
Ntt フォトニクス研究室
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