短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
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概要
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電子ビーム描画法を用いて短ゲートAlGaN/GaNHEMTを試作し、DC、及びRF特性を評価した。デバイスは良好なピンチオフ特性を示し、g_m=195mS/mm、f_r=26GHz, f_<max>=80GHzの値が得られた。また、フォトルミネッセンス法及び、エレクトロルミネッセンス法を用いて電流輸送機構を評価した結果、ドレイン端における伝導電子のバンド内遷移に伴うEL発光を観測した。これらの結果は従来III-V化合物半導体電子デバイスで用いられてきたプロセス技術を用いて高周波応用にも適応できる短ゲート素子が作製可能であることを示した。
- 2001-10-04
著者
-
塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
Ntt フォトニクス研
-
重川 直輝
Ntt フォトニクス研
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社
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