30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
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概要
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ゲート長30nmのInP格子整合HEMTの作製と評価について報告する。30nmという微細なゲートパターンを形成するため, 電子線描画においてフラーレンを添加したナノコンポジットレジストを使用した。また, ゲート電極の広がりによる高周波特性の低下を防止するため, 2段階リセスゲート構造を用いた。得られたデバイスにおける電流利得遮断周波数の最高値は350GHzであり, これまで報告のあるあらゆるトランジスタの中でも最高の値のひとつである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-20
著者
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
石井 哲好
NTT光エレクトロニクス研究所
-
楳田 洋太郎
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
石井 康信
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
玉村 敏昭
NTT光エレクトロニクス研究所
-
玉村 敏昭
Ntt 光エレクトロニクス研究所
-
石井 康信
Nttフォトニクス研究所
-
石井 哲好
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研究所
-
楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
楳田 洋太郎
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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