グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
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概要
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InP基板上のGaInAs/AlAs二重障壁の共鳴トンネルダイオードを用いたテラへルツ発振器において,グレーデッドエミッタを導入した構造を作製し,0.6〜1THzの発振特性からコレクタ空乏層の電子走行時間を見積もった.その結果,グレーデッドエミッタが走行時間の短縮に効果があることがわかった.これはコレクタ空乏層の印加電界が低下したことによりΓ-Lバンド間遷移が減少したことによると考えられ,簡単な理論的見積もりとよく一致した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-09
著者
-
杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
-
鈴木 左文
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
寺西 豊志
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
Asada Masahiro
The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te
-
静野 薫
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社
-
杉山 弘樹
日本電信電話
-
横山 春喜
日本電信電話
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
鈴木 左文
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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