シリコン基板上に形成した金属/絶縁体量子効果デバイス
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概要
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金属/絶縁体ヘテロ構造を用いた量子効果デバイスは、ヘテロ界面の非常に大きなバンド不連続(〜10_eV)による顕著な量子効果や金属の高キャリア濃度と絶縁体の低誘電率を利用できることから、高速・多機能デバイスの可能性を持つ。我々はSi基板とほぼ格子整合する材料系として金属にCoSi_2、絶縁体にCaF_2を選択し、金属/絶縁体超格子のエピタキシャル成長を達成し、この系を用いて共鳴トンネルトランジスタなどの量子効果デバイスの動作を実証してきた。本報告では、Si基板上への金属(CoSi_2)/絶縁体(CaF_2)共鳴トンネルトランジスタおよび量子干渉トランジスタの形成と室温動作について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
齋藤 渉
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
斎藤 渉
東京工業大学工学部電気・電子工学科
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
森 郁
東京工大 工
-
森 郁
東京工業大学工学部
-
河野 義史
東京工業大学工学部
-
齋藤 渉
東京工業大学 工学部 電気電子工学科
-
森 郁
東京工業大学 工学部
-
河野 義史
東京工業大学 工学部
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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